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1. WO2005008675 - COMPENSATION D'UN TEMPS DE LECTURE PROLONGE D'UN DISPOSITIF A MEMOIRE AU COURS D'OPERATIONS D'ECRITURE ET DE COMPARAISON DE DONNEES

Numéro de publication WO/2005/008675
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IB2004/051197
Date du dépôt international 12.07.2004
CIB
G11C 7/10 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
7Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10Dispositions d'interface d'entrée/sortie de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G11C 11/15 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
CPC
G11C 11/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
15using multiple magnetic layers
G11C 2207/2263
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2207Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
22Control and timing of internal memory operations
2263Write conditionally, e.g. only if new data and old data differ
G11C 7/1006
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
7Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
1006Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • PERSOON, Eric, H., J. [NL/NL]; NL (UsOnly)
Inventeurs
  • PERSOON, Eric, H., J.; NL
Mandataires
  • DE JONG, Durk, J.; Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven, NL
Données relatives à la priorité
03102247.822.07.2003EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COMPENSATING A LONG READ TIME OF A MEMORY DEVICE IN DATA COMPARISON AND WRITE OPERATIONS
(FR) COMPENSATION D'UN TEMPS DE LECTURE PROLONGE D'UN DISPOSITIF A MEMOIRE AU COURS D'OPERATIONS D'ECRITURE ET DE COMPARAISON DE DONNEES
Abrégé
(EN)
A memory device is disclosed that has a longer read time than write time and implements a parallel-read operation. The parallel-read operation saves reading time and thus accelerates a write operation that comprises a step of comparing incoming data with memory data that were stored in the memory before. The invention is especially applicable to an MRAM memory with 0T1MTJ memory cells. The parallel-read operation involves reading in parallel a large amount of data or all data to be compared from the memory into a first temporary memory. The write data is stored in a second temporary memory. The memory data contained in the first temporary memory is compared with the corresponding write data contained in the second temporary memory and allocated to the same address information. Only that write data is written to the memory, which is different from the corresponding memory data.
(FR)
Dispositif à mémoire présentant un temps de lecture plus long que le temps d'écriture et mettant en oeuvre une opération de lecture en parallèle. L'opération de lecture en parallèle permet d'économiser du temps de lecture et accélère ainsi une opération d'écriture comportant une étape de comparaison de données d'arrivée avec des données mémoire préalablement mises en mémoire. L'invention s'applique en particulier à une mémoire vive magnéto-résistive avec des cellules mémoire 0T1MTJ. L'opération de lecture en parallèle consiste à effectuer la lecture en parallèle d'une grande quantité de données ou de toutes les données devant être comparées dans la mémoire, qui sont alors reçues dans une première mémoire temporaire. Les données d'écriture sont stockées dans une seconde mémoire temporaire. Les données mémoire contenues dans la première mémoire temporaire sont comparées avec les données d'écriture correspondantes contenues dans la seconde mémoire temporaire et auxquelles a été attribuée la même information d'adresse. Seules, les données d'écriture différentes des données mémoire correspondantes sont inscrites dans la mémoire.
Également publié en tant que
US2006248258
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international