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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005007924 - SYSTEMES DE CIBLES DE PULVERISATION

Numéro de publication WO/2005/007924
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021362
Date du dépôt international 02.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.02.2005
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/3407
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
H01J 37/3414
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3414Targets
H01J 37/3435
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
Déposants
  • HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Avenue P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US (AllExceptUS)
  • HORT, Werner, H. [US/US]; US (UsOnly)
  • JAEYEON, Kim [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • HORT, Werner, H.; US
  • JAEYEON, Kim; US
Mandataires
  • HOIRIIS, David ; Honeywell International Inc. 101 Columbia Avenue P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US
  • TAYLOR, Jennifer, J. ; Wells St. John P.S. 601 W. First Ave., Suite 1300 Spokane, WA 99201-3828, US
Données relatives à la priorité
60/485,45207.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SPUTTERING TARGET CONSTRUCTIONS
(FR) SYSTEMES DE CIBLES DE PULVERISATION
Abrégé
(EN)
The invention includes a physical vapor deposition target having an inner radial portion which has a radius extending from a center point of the target to an outer edge of a sputtering region. The deposition target has a flange region surrounding the inner radial portion. Two channels are positioned within the flange region with one of the channels being configured to receive an o-ring. The invention also includes a sputtering target having a flange region with a planar flange surface and having an o-ring channel disposed within the flange region. The o-ring channel has a pair of opposing channel walls and a base surface with a portion of the base surface being non-parallel relative to the planar flange surface. Invention further includes a physical vapor deposition target backing plate having an o-ring groove and a stress relief groove, and target assemblies which utilize such backing plate.
(FR)
La présente invention concerne une cible de dépôt par évaporation physique comprenant une partie radiale interne qui a un rayon qui s'étend d'un point central de la cible à un bord extérieur d'une zone de pulvérisation. La cible de dépôt présente une zone marginale qui entoure la partie radiale interne. Deux canaux sont disposés à l'intérieur de la zone marginale, l'un des canaux étant conçu pour recevoir un joint torique. L'invention a également pour objet une cible de pulvérisation qui présente une zone marginale présentant une surface plane, et comprend un canal à joint torique disposé à l'intérieur de sa zone marginale. Le canal à joint torique présente une paire de parois de canal opposées et une surface de base dont une partie est non parallèle à la surface plane de la zone marginale. L'invention concerne aussi une contre-plaque de cible de dépôt par évaporation physique présentant une rainure à joint torique et une rainure de soulagement des contraintes, et des systèmes de cibles qui comprennent une contre-plaque de ce type.
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