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Paramétrages

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1. WO2005007923 - CIBLE DE PULVERISATION A BASE D'ARGENT (AG) ET SON PROCEDE DE PRODUCTION

Numéro de publication WO/2005/007923
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010380
Date du dépôt international 14.07.2004
CIB
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
CPC
C22C 5/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
CALLOYS
5Alloys based on noble metals
06Alloys based on silver
C22F 1/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
FCHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
1Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
14of noble metals or alloys based thereon
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Déposants
  • 株式会社神戸製鋼所 KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 〒6518585 兵庫県神戸市中央区脇浜町2丁目10番26号 Hyogo 10-26, Wakinohama-cho 2-chome Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6518585, JP (AllExceptUS)
  • 株式会社コベルコ科研 KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. [JP/JP]; 〒6510073 兵庫県神戸市中央区脇浜海岸通1丁目5番1号 Hyogo 5-1, Wakinohama-kaigan-dori 1-chome Chuo-ku, Kobe-shi Hyogo 6510073, JP (AllExceptUS)
  • 高木 勝寿 TAKAGI, Katsutoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 中井 淳一 NAKAI, Junichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 田内 裕基 TAUCHI, Yuuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 松崎 均 MATSUZAKI, Hitoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 藤井 秀夫 FUJII, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 高木 勝寿 TAKAGI, Katsutoshi; JP
  • 中井 淳一 NAKAI, Junichi; JP
  • 田内 裕基 TAUCHI, Yuuki; JP
  • 松崎 均 MATSUZAKI, Hitoshi; JP
  • 藤井 秀夫 FUJII, Hideo; JP
Mandataires
  • 河宮 治 KAWAMIYA, Osamu; 〒5400001 大阪府大阪市中央区城見1丁目3番7号IMPビル 青山特許事務所 Osaka AOYAMA & PARTNERS, IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001, JP
Données relatives à la priorité
2003-27562116.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) Ag BASE SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CIBLE DE PULVERISATION A BASE D'ARGENT (AG) ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
(JA) Ag系スパッタリングターゲット及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Ag base sputtering target (6) exhibiting a three-dimensional dispersion of crystal grain diameter of 18% or less. The three-dimensional dispersion of crystal grain diameter is as follows. The sputtering target is sliced with a plane parallel to a sputtering face to thereby expose multiple sputtering faces. Multiple spots are selected on each of the exposed sputtering faces. The value A1 and value B1 are calculated according to the following formulae from the crystal grain diameters at all the selected spots. The larger one of these values A1 and B1 is referred to as the three-dimensional dispersion of crystal grain diameter. A1 = (Dmax-Dave)/Dave×100 (%) B1 = (Dave-Dmin)/Dave×100 (%) Dmax: maximum of the crystal grain diameters (D) at all selected spots Dmin: minimum of the crystal grain diameters (D) at all selected spots Dave: average of the crystal grain diameters (D) at all selected spots
(FR)
L'invention concerne une cible de pulvérisation à base d'argent (6) présentant une dispersion tridimensionnelle du diamètre de grain cristallin inférieure ou égale à 18 %. La dispersion tridimensionnelle du diamètre de grain cristallin est la suivante. La cible de pulvérisation est découpée en tranches selon un plan parallèle à une face de pulvérisation afin d'exposer ainsi de multiples faces de pulvérisation. De multiples points sont sélectionnés sur chacune des faces de pulvérisation exposées. La valeur A1 et la valeur B1 sont calculées selon les formules suivantes des diamètres de grain cristallin sur tous les points sélectionnés. La valeur la plus importante desdites valeurs A1 et B1 est appelée dispersion tridimensionnelle du diamètre de grain cristallin. Selon l'invention : A1 = (Dmax - Dave) / Dave x 100 (%) ..B1 = (Dave - Dmin) / Dave x 100 (%) ..Dmax : maximum des diamètres de grain cristallin (D) sur tous les points sélectionnés ..Dmin : minimum des diamètres de grain cristallin (D) sur tous les points sélectionnés ..Dave : moyenne des diamètres de grain cristallin (D) sur tous les points sélectionnés
(JA)
 Ag系スパッタリングターゲット6は、スパッタリング面と平行する面で切断して複数のスパッタリング面を露出させ、露出したスパッタリング面毎に複数箇所を選択し、全ての選択箇所の結晶粒径に基づいて以下の式により値A1及び値B1を算出し、これら値A1及び値B1のうち大きい方を結晶粒径の3次元ばらつきと称したとき、該結晶粒径の3次元ばらつきが18%以下である。   A1=(Dmax-Dave)/Dave×100(%)   B1=(Dave-Dmin)/Dave×100(%)    Dmax:全選択箇所の結晶粒径Dの最大値    Dmin:全選択箇所の結晶粒径Dの最小値    Dave:全選択箇所の結晶粒径Dの平均値
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