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1. WO2005007576 - PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SOLUTION DE PRECURSEUR DE DEPOT ORGANO-METALLIQUE UTILISANT UN OXYDE SUPRACONDUCTEUR ET UN FILM SUPRACONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2005/007576
Date de publication 27.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001756
Date du dépôt international 15.07.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 18.05.2005
CIB
C01G 3/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
3Composés du cuivre
H01L 39/24 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
39Dispositifs utilisant la supraconductivité ou l'hyperconductivité; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
24Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement des dispositifs couverts par H01L39/134
CPC
C01G 3/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
3Compounds of copper
006Compounds containing, besides copper, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
C04B 2235/3215
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3205Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
3215Barium oxides or oxide-forming salts thereof
C04B 2235/3224
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
C04B 2235/3225
CCHEMISTRY; METALLURGY
04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE
2235Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
30Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
32Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
3224Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
3225Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
Déposants
  • KOREA POLYTECHNIC UNIVERSITY [KR/KR]; Jeongwang1-dong Siheung-si 429-793, KR (AllExceptUS)
  • HONG, Gye-Won [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • LEE, Hee-Gyon [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YOO, Sang-Im [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YOO, Jai-Moo [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • HONG, Gye-Won; KR
  • LEE, Hee-Gyon; KR
  • YOO, Sang-Im; KR
  • YOO, Jai-Moo; KR
Mandataires
  • JIN, Yong-Suk ; 513 Cheongsa office building 915 Dunsan-dong, Seo-gu Daejeon-si 302-120, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004915718.07.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING METAL ORGANIC DEPOSITION PRECURSOR SOLUTION USING SUPERCONDUCTION OXIDE AND FILM SUPERCONDUCTOR
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE SOLUTION DE PRECURSEUR DE DEPOT ORGANO-METALLIQUE UTILISANT UN OXYDE SUPRACONDUCTEUR ET UN FILM SUPRACONDUCTEUR
Abrégé
(EN)
There is provided a method of fabricating a precursor solution for a metal organic deposition method using a superconducting oxide as a starting material, the method including dispersing a superconducting material powder in a TFA acid aqueous solution and heating them to dissolve the powder in the TFA solution; increasing a temperature of a hot substrate if the powder is completely dissolved, and the solution is clear, and continuously heating until the solution is vaporized and is in a viscous jelly state; stopping the heating if the solution loses its flowing property completely, and cooling the solution; and dissolving the compound in the jelly state, hardened at a room temperature, into an organic solvent, to provide metal organic deposition solution for coating. There is also provided a method of fabricating a thin film-typed superconductor using a metal organic deposition method, the method including dispersing a superconducting material powder in a TFA acid aqueous solution and heating them to dissolve the powder in the TFA solution; increasing a temperature of a hot substrate if the powder is completely dissolved, and the solution is clear, and continuously heating until the solution is vaporized and is in a viscous jelly state; stopping the heating if the solution loses its flowing property completely, and cooling the solution; dissolving the compound in the jelly state, hardened at a room temperature, into an organic solvent, to provide a superconducting material powder-TFA precursor solution; after forming a textured oxide buffer layer on a textured metal substrate, or forming a textured oxide template on a metal substrate and forming an oxide buffer layer thereon, dropping the superconducting material powder-TFA precursor solution on the single crystal metal substrate so as to deposit a thin film; and drying it to form the thin film; and applying a calcination heat treatment on the thin film to provide the thin film with a superconducting property. In the method of fabricating a thin film superconducting conductor using REBa2Cu3O7-x (RE=rare earth elements such as Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. or mixture thereof), a precursor solution is fabricated by dissolving REBa2Cu3O7-x (RE=rare earth elements such as Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. or mixture thereof) group of oxide into TFA acid aqueous solution, and using the precursor solution, the superconducting conductor can be provided more easily with a lower price than a conventional precursor solution.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une solution de précurseur pour un procédé de dépôt organo-métallique utilisant un oxyde supraconducteur en tant que matériau de départ. Ce procédé consiste à disperser un poudre de matériau supraconducteur dans une solution aqueuse acide TFA et à chauffer le tout afin de dissoudre la poudre dans la solution TFA ; à augmenter la température d'un substrat chaud si la poudre est complètement dissoute et que la solution est claire et à chauffer en continu jusqu'à ce que la solution soit vaporisée et soit dans un état gélatineux et visqueux ; à interrompre le réchauffement si la solution perd complètement sa propriété fluide et à refroidir la solution ; et à dissoudre le composé à l'état gélatineux, durci à température ambiante, de façon qu'il se convertisse en un solvant organique afin d'obtenir une solution de dépôt organo-métallique destinée à servir de revêtement. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un supraconducteur sous forme de film fin au moyen d'un procédé de dépôt organo-métallique. Ce procédé consiste à disperser une poudre de matériau supraconducteur solution aqueuse acide TFA et à chauffer le tout afin de dissoudre la poudre dans la solution TFA ; à augmenter la température d'un substrat chaud si la poudre est complètement dissoute et que la solution est claire et à chauffer en continu jusqu'à ce que la solution soit vaporisée et soit dans un état gélatineux et visqueux ; à interrompre le réchauffement si la solution perd complètement sa propriété fluide et à refroidir la solution ; et à dissoudre le composé à l'état gélatineux, durci à température ambiante, de façon qu'il se convertisse en un solvant organique afin d'obtenir une solution de précurseur TFA de poudre de matériau supraconducteur ; après avoir formé une couche tampon d'oxyde texturée sur un substrat métallique texturé ou un gabarit d'oxyde texturé sur un substrat métallique et une couche tampon d'oxyde, à appliquer la solution de précurseur TFA de poudre de matériau supraconducteur sur le substrat métallique monocristallin de façon à déposer un film fin ; à sécher le tout sous forme de film fin ; et à appliquer un traitement thermique de calcination sur le film fin afin conférer au film fin une propriété supraconductrice. Dans le procédé de fabrication d'un film fin supraconducteur au moyen de REBa2Cu3O7-x (RE=terres rares telles que Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. ou un mélange de celles-ci), pour fabriquer une solution de précurseur, on dissout un groupe d'oxyde REBa2Cu3O7-x (RE=terres rares telles que Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, etc. ou un mélange de celles-ci) dans la solution aqueuse acide TFA et au moyen de la solution de précurseur, le supraconducteur peut être obtenu plus facilement à un coût plus bas qu'une solution de précurseur classique.
Également publié en tant que
DE112004001309
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