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Paramétrages

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1. WO2005006449 - TRANSISTOR A FILM MINCE ORGANIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ECRAN A MATRICE ACTIVE L'UTILISANT ET MARQUEUR RADIO D'IDENTIFICATION

Numéro de publication WO/2005/006449
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/010066
Date du dépôt international 08.07.2004
CIB
H01L 27/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
28comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
CPC
H01L 27/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
H01L 51/0052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0052Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
Déposants
  • 松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
  • 七井 識成 NANAI, Norishige; null (UsOnly)
  • 山本 伸一 YAMAMOTO, Shinichi; null (UsOnly)
  • 河北 哲郎 KAWAKITA, Tetsuo; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 七井 識成 NANAI, Norishige; null
  • 山本 伸一 YAMAMOTO, Shinichi; null
  • 河北 哲郎 KAWAKITA, Tetsuo; null
Mandataires
  • 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 〒5306026 大阪府大阪市北区天満橋1丁目8番30号OAPタワー26階 Osaka 26th Floor, OAP Tower 8-30, Tenmabashi 1-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5306026, JP
Données relatives à la priorité
2003-27285110.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND PROCESS FOR FABRICATING THE SAME, ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY EMPLOYING IT AND RADIO IDENTIFICATION TAG
(FR) TRANSISTOR A FILM MINCE ORGANIQUE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ECRAN A MATRICE ACTIVE L'UTILISANT ET MARQUEUR RADIO D'IDENTIFICATION
(JA) 有機薄膜トランジスタとその製造方法、及びそれを用いたアクティブマトリクス型のディスプレイと無線識別タグ
Abrégé
(EN)
An organic thin-film transistor comprising a substrate (11), and a semiconductor layer (14) of an organic semiconductor formed on the substrate (11) wherein the semiconductor layer (14) is composed of a crystal of the organic semiconductor and the crystal phase of the crystal is identical to that of a bulk crystal of the organic semiconductor which is most stable in terms of energy. Also disclosed is a process for fabricating the organic thin-film transistor by depositing the organic semiconductor on the substrate (11) by evaporation and forming the semiconductor layer (14) is characterized in that the organic semiconductor is deposited by evaporation at a rate of 0.1-1 nm/min while maintaining the temperature of the substrate (11) in the range of 40-150˚C.
(FR)
L'invention porte sur un transistor à film mince organique comportant un substrat (11) et une couche semi-conductrice (14), formée sur le substrat, et constituée d'un cristal de semi-conducteur organique dont la phase des cristaux, identique à celle de cristaux massifs, est extrêmement stable du point de vue de l'énergie. L'invention porte également sur le procédé de fabrication dudit transistor consistant à déposer par évaporation le semi-conducteur sur le substrat, puis à former la couche semi-conductrice (14). La vitesse de dépôt du semi-conducteur organique est comprise entre 0,1 et 1 mn/min, alors qu'on maintient la température du substrat (11) entre 40 et 150°C.
(JA)
本発明の有機薄膜トランジスタは、基板(11)と、基板(11)上に設けられた有機半導体からなる半導体層(14)とを有し、半導体層(14)は、前記有機半導体の結晶から構成され、前記結晶の結晶相は、前記有機半導体のエネルギー的に最安定なバルク結晶の結晶相と同一である。また、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、基板(11)上に有機半導体を蒸着して半導体層(14)を形成する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、前記有機半導体を蒸着する際、基板(11)の温度を40~150℃の範囲に保持し、0.1~1nm/分の蒸着速度で蒸着することを特徴とする。
Également publié en tant que
US2006226420
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