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Paramétrages

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1. WO2005006436 - ENSEMBLE CIRCUIT INTEGRE A REFROIDISSEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT ENSEMBLE

Numéro de publication WO/2005/006436
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/051116
Date du dépôt international 15.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.04.2005
CIB
H01L 23/427 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
42Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
427Refroidissement par changement d'état, p.ex. caloducs
H01L 23/473 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
46impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation
473par une circulation de liquides
CPC
H01L 21/30604
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
30604Chemical etching
H01L 21/3063
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
3063Electrolytic etching
H01L 23/427
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
42Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; selected or arranged to facilitate heating or cooling
427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
H01L 23/473
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
46involving the transfer of heat by flowing fluids
473by flowing liquids
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2924/09701
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
095with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • LEHMANN, Volker [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • STENGEL, Reinhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • SCHÄFER, Herbert [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • LEHMANN, Volker; DE
  • STENGEL, Reinhard; DE
  • SCHÄFER, Herbert; DE
Mandataires
  • KINDERMANN, Peter ; Patentanwälte Kindermann P.O. Box 100234 85593 Baldham, DE
Données relatives à la priorité
10330731.108.07.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) INTEGRIERTE KÜHL-SCHALTUNGSANORDNUNG, BETRIEBSVERFAHREN UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) INTEGRATED COOLANT CIRCUIT ARRANGEMENT, OPERATING METHOD AND PRODUCTION METHOD
(FR) ENSEMBLE CIRCUIT INTEGRE A REFROIDISSEMENT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT ENSEMBLE
Abrégé
(DE)
Erläutert wird unter anderem eine Schaltungsanordnung (110), die zur Kühlung Hauptkanäle (150 bis 156) sowie in die Hauptkanäle (150 bis 156) mündende Querkanäle (160 bis 196) enthält. Die Schaltungsanordnung (110) hat hervorragende Kühleigenschaften und ist auf einfache Art herzustellen.
(EN)
The invention relates to among others a circuit arrangement (110), which comprises primary channels (150 to 156) for cooling purposes, in addition to transverse channels (160 to 196) that open into the primary channels (150 to 156). Said circuit arrangement (110) has excellent cooling properties and can be simply produced.
(FR)
La présente invention concerne entre autres un ensemble circuit (110) qui comporte, en vue de son refroidissement, des canaux de refroidissement principaux (150 à 156) ainsi que des canaux transversaux (160 à 196) débouchant dans les canaux principaux (150 à 156). Ledit ensemble circuit (110) possède d'excellentes propriétés de refroidissement et peut être fabriqué de manière simple.
Également publié en tant que
US11324789
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