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Paramétrages

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1. WO2005006432 - COMPOSANT ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/006432
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/006500
Date du dépôt international 16.06.2004
CIB
B81B 7/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7Systèmes à microstructure
H03H 3/007 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
H03H 9/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
05Supports
10Montage dans des boîtiers
CPC
B81B 7/007
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
7Microstructural systems; ; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
0032Packages or encapsulation
007Interconnections between the MEMS and external electrical signals
B81C 2203/0118
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
01Packaging MEMS
0118Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H03H 3/007
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
H03H 9/105
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
10Mounting in enclosures
1007for bulk acoustic wave [BAW] devices
105the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the BAW device
H03H 9/1092
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
05Holders; Supports
10Mounting in enclosures
1064for surface acoustic wave [SAW] devices
1092the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
Déposants
  • EPCOS AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • DIEKMANN, Christian [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • DIEKMANN, Christian; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
103 31 322.210.07.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
(EN) ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT ELECTRONIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé
(DE)
Die Erfindung schlägt vor, vertikale elektrische Durchkontaktierungen in einem Trägersubstrat auszubilden, auf dessen Oberfläche Bauelementstrukturen befestigt sind, wobei die Bauelement-Strukturen mit Kontaktflächen verbunden sind, die über den Durchkontaktierungen angeordnet sind. Die Bauelementstrukturen und die Kontaktflächen sind in Hohlräumen angeordnet, welche bei der Direct Wafer Bonding des Trägersubstrats mit einer entsprechende Aushöhlungen aufweisenden Deckplatte gebildet werden.
(EN)
The invention relates to the formation of vertical electrical through contacts in a support substrate, on the surface of which component structures are fixed, whereby the component structures are associated with contact surfaces, arranged over the through contacts. The component structures and the contact surfaces are arranged in cavities, formed by the direct wafer bonding of the carrier substrate with a cover sheet comprising a corresponding recess.
(FR)
L'invention concerne la formation de connexions électriques transversales verticales dans un substrat support présentant une surface sur laquelle des structures de composant sont fixées, ces structures de composant étant reliées à des surfaces de contact placées au-dessus des connexions transversales. Les structures de composant et les surfaces de contact sont placées dans des cavités formées lors de la soudure directe du substrat support ('Direct Wafer Bonding') au moyen d'une plaque de recouvrement présentant des évidements correspondants.
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