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Paramétrages

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1. WO2005006340 - STRUCTURE CELLULAIRE SRAM ET CIRCUITS

Numéro de publication WO/2005/006340
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021162
Date du dépôt international 30.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 06.01.2005
CIB
G11C 11/413 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21utilisant des éléments électriques
34utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40utilisant des transistors
41formant des cellules avec réaction positive, c. à d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p.ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt
413Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
CPC
G11C 11/419
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
21using electric elements
34using semiconductor devices
40using transistors
41forming ; static; cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
413Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing, power reduction
417for memory cells of the field-effect type
419Read-write [R-W] circuits
Déposants
  • ZMOS TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 1290 Oakmead Parkway, Suite 318 Sunnyvale, CA 94085, US (AllExceptUS)
  • SOHN, Jeong-Duk [KR/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • SOHN, Jeong-Duk; US
Mandataires
  • O'BANION, John, P.; O'Banion & Ritchey LLP Suite 1550 400 Capitol Mall Sacramento, CA 95814, US
Données relatives à la priorité
60/484,56501.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SRAM CELL STRUCTURE AND CIRCUITS
(FR) STRUCTURE CELLULAIRE SRAM ET CIRCUITS
Abrégé
(EN)
An SRAM circuit structure and method for reducing leakage currents and/or increasing the speed of the devices. Various forms of SRAM devices may be fabricated utilizing the techniques, such as single port and dual port RAM devices. By way of example the SRAM structure utilizes separate write and read lines, splits the circuit into portions which can benefit from having differing threshold levels, and can allow splitting read path transistors for connection to a first terminal and a virtual node connected to a source transistor. The structure is particularly well suited for forming transistors in a combination of NMOS and PMOS, or solely in NMOS. Memory arrays may be organized according to the invention in a number of different distributed or lumped arrangements with the reference read paths and sense blocks being either shared or dedicated.
(FR)
L'invention concerne une structure de circuit SRAM et un procédé destiné à réduire les courants de fuite et/ou à augmenter la vitesse des dispositifs. Les techniques de l'invention permettent de fabriquer plusieurs types de dispositifs SRAM, tels que des dispositifs à simple accès et à double accès. Par exemple, la structure SRAM utilise des lignes d'écriture et de lecture séparées. En outre, elle permet de diviser le circuit en parties pouvant bénéficier de niveaux seuils variables, et de diviser les transistors à chemins de lecture en vue d'une connexion à un premier terminal et un noeud virtuel connecté à un transistor source. Ladite structure convient particulièrement à la formation de transistors en une combinaison de NMOS et de PMOS, ou uniquement en NMOS. Selon l'invention, des matrices mémoires peuvent être organisées en une pluralité d'agencements répartis ou localisés différents dont les chemins de lecture de référence et les blocs de détection sont partagés ou spécialisés.
Également publié en tant que
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