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Paramétrages

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1. WO2005006338 - DISPOSITIF D'INFORMATION UTILE EN MAGNETOELECTRONIQUE ET POSSEDANT UNE COUCHE MAGNETIQUE SANS COMPOSES

Numéro de publication WO/2005/006338
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/014252
Date du dépôt international 07.05.2004
CIB
G11C 11/14 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
  • ENGEL, Bradley, N. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • ENGEL, Bradley, N.; US
Mandataires
  • INGRASSIA, Vincent, B. ; Ingrassia, Fisher & Lorenz, PC 7150 East Camelback Road Suite 325 Scottsdale, AZ 85251, US
Données relatives à la priorité
10/437,83113.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETOELECTRONICS INFORMATION DEVICE HAVING A COMPOUND MAGNETIC FREE LAYER
(FR) DISPOSITIF D'INFORMATION UTILE EN MAGNETOELECTRONIQUE ET POSSEDANT UNE COUCHE MAGNETIQUE SANS COMPOSES
Abrégé
(EN)
A magnetoelectronics information device (20) is provided that includes two multi-layer structures (24, 26) and a spacer layer (28) interposed between the two multi-layer structures. Each of the multi-layer structures has two magnetic sublayers (38, 40, and 44, 46) and a spacer layer (42, 48) interposed between the two magnetic sublayers. The spacer layer interposed between the two magnetic sublayers provides an antiferromagnetic exchange coupling that is quantified by a saturation field. The spacer layer interposed between the two multi-layer structures provides a second antiferromagnetic exchange coupling is quantified by another saturation field that is less than the first saturation field.
(FR)
L'invention porte sur un dispositif d'information utile en magnétoélectronique (20) qui comprend deux structures multicouches (24, 26) entre lesquelles est placée une couche d'espacement (28). Chacune des structures multicouches possède deux sous-couches magnétiques (38, 40 et 44, 46) entre lesquelles est placée une couche d'espacement (42, 48). La couche d'espacement placée entre les deux sous-couches magnétiques forme un couplage d'échange antiferromagnétique qui est quantifié par un champ de saturation. La couche d'espacement placée entre les deux structures multicouches forme un second couplage d'échange antiferromagnétique qui est quantifié par un autre champ de saturation inférieur au premier.
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