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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005006069 - ENSEMBLE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES

Numéro de publication WO/2005/006069
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001747
Date du dépôt international 14.07.2004
CIB
G02F 1/1362 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
CPC
G02F 1/136213
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
G02F 1/136286
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136286Wiring, e.g. gate line, drain line
G02F 2201/40
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
2201Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
40Arrangements for improving the aperture ratio
Déposants
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 416, Maetan-dong, Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do 442-742, KR (AllExceptUS)
  • KANG, Seung-Jae [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • KANG, Seung-Jae; KR
Mandataires
  • YOUME PATENT & LAW FIRM; Teheran Bldg., 825-33 Yoksam-dong, Kangnam-Ku Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004775614.07.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL
(FR) ENSEMBLE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
Abrégé
(EN)
A thin film transistor ('TFT') array panel is provided, which includes: first and second gate lines transmitting gate signals to adjacent pixel rows and disposed adjacent to each other; a data line insulated from the first and the second gate lines and the data line; a first thin film transistor connected to the first gate line and the data line and including a first drain electrode overlapping the second gate line; a second TFT connected to the second gate line and the data line, disposed opposite the first TFT with respect to the data line, and including a second drain electrode overlapping the first gate line; a first pixel electrode connected to the first drain electrode and overlapping the second gate line; and a second pixel electrode connected to the second electrode and overlapping the first gate line.
(FR)
L'invention concerne un ensemble transistors en couches minces (« TFT ») qui comprend : des premières et secondes lignes de grilles transmettant des signaux de grilles à des rangées de pixels contiguës et se jouxtant ; une ligne de données isolée des première et seconde lignes de grilles et la ligne de données ; un premier transistor en couches minces relié à la première ligne de grille et à la ligne de données et comprenant une première électrode de drain chevauchant la seconde ligne de grille ; un second TFT relié à la seconde ligne de grille et à la ligne de données, disposé à l'opposé du premier TFT par rapport à la ligne de données, et comprenant une seconde électrode de drain chevauchant la première ligne de grille ; une première électrode de pixel reliée à la première électrode de drain et chevauchant la seconde ligne de grille ; et une seconde électrode de pixel reliée à la seconde électrode et chevauchant la première ligne de grille.
Également publié en tant que
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