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Paramétrages

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1. WO2005005320 - COMPOSE CERAMIQUE FERROELECTRIQUE, MONOCRISTAL CERAMIQUE FERROELECTRIQUE, ET PROCEDES DE PREPARATION ASSOCIES

Numéro de publication WO/2005/005320
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2003/001528
Date du dépôt international 30.07.2003
CIB
C01G 21/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
21Composés du plomb
02Oxydes
CPC
C01G 33/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
33Compounds of niobium
006Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01P 2006/40
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2006Physical properties of inorganic compounds
40Electric properties
C30B 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
C30B 29/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
22Complex oxides
H01G 7/06
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
7Capacitors in which the capacitance is varied by non-mechanical means; Processes of their manufacture
06having a dielectric selected for the variation of its permittivity with applied voltage, i.e. ferroelectric capacitors
H01L 21/02197
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02172the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
02197the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
Déposants
  • IBULE PHOTONICS CO., LTD. [KR/KR]; 1276-10, Jeongwang-Dong Siheung-Si, Kyunggi-Do 429-450, KR (AllExceptUS)
  • LEE, Sang-Goo [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • KIM, Min-Chan [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • CHOI, Byung-Ju [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • SHIN, Min-Chul [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • YU, Su-Han [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • LEE, Sang-Goo; KR
  • KIM, Min-Chan; KR
  • CHOI, Byung-Ju; KR
  • SHIN, Min-Chul; KR
  • YU, Su-Han; KR
Mandataires
  • LEE, Sook Yeol; 402 New Seoul Bldg., 828-8 Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul 135-935, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004745811.07.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) A FERROELECTRIC CERAMIC COMPOUND, A FERROELECTRIC CERAMIC SINGLE CRYSTAL, AND PREPARATION PROCESSES THEREOF
(FR) COMPOSE CERAMIQUE FERROELECTRIQUE, MONOCRISTAL CERAMIQUE FERROELECTRIQUE, ET PROCEDES DE PREPARATION ASSOCIES
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a ferroelectric ceramic compound having the composition of the following formula: s[L]-x[P]y[M]z[N]p[T], a ferroelectric ceramic single crystal, and preparation processes thereof. The ferroelectric ceramic compound and the single crystal according to the present invention are relaxor ferroelectrics having high piezoelectricity, a high electromechanical coefficient and a high electrooptical coefficient, and are useful for manufacturing tunable filters for radio communication, optical communication devices, surface acoustic wave devices, and the like. Particularly, the process of preparing the single crystal according to the present invention enables preparation of a single crystal having a diameter of 5 cm or greater and a single crystal wafer with uniform composition. In the formula, [P] is lead oxide, [M] is magnesium oxide or zinc oxide, [N] is niobium oxide, [T] is titanium oxide, [L] is one selected from the group consisting of lithium tantalate or lithium niobate, lithium, lithium oxide, platinum, indium, palladium, rhodium, nickel, cobalt, iron, strontium, scandium, ruthenium, copper, yttrium, and ytterbium or mixtures thereof, and x, y, z, p and s are defined as 0.55 < x < 0.60, 0.09 < y < 0.20, 0.09 < z < 0.20, 0.01 < p < 0.27 and 0.01 < s < 0.1, respectively.
(FR)
L'invention concerne un composé céramique ferroélectrique dont la composition est représentée par la formule suivante : s[L]-x[P]y[M]z[N]p[T], un monocristal céramique ferroélectrique, et des procédés de préparation associés. Le composé céramique ferroélectrique et le monocristal céramique ferroélectrique de l'invention sont des ferroélectriques relaxeurs qui présentent des propriétés piezoélectriques élevées, un coefficient électromécanique et un coefficient électro-optique élevés, et sont utiles pour la production de filtres réglables pour des dispositifs de communication radio, des dispositifs de communication optique, des dispositifs à ondes élastiques de surface, et analogues. En particulier, le procédé de préparation de monocristal de l'invention permet de préparer un monocristal de diamètre supérieur ou égal à 5 cm et une plaquette monocristalline de composition uniforme. Dans la formule, [P] représente oxyde de plomb, [M] oxyde de magnésium ou oxyde de zinc, [N] oxyde de niobium, [T] oxyde de titane, [L] est sélectionné dans le groupe comprenant tantalate de lithium ou niobate de lithium, lithium, oxyde de lithium, platine, indium, palladium, rhodium, nickel, cobalt, fer, strontium, scandium, ruthénium, cuivre, yttrium, et ytterbium ou mélanges de ceux-ci, et x, y, z et p sont définis, respectivement, de la façon suivante : 0,55<x<0,60 ; 0,09<y<0,20 ; 0,09<z<0,20 ; 0,01<p<0,27 et 0,01<s<0,1.
Également publié en tant que
US2006214131
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