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Paramétrages

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1. WO2005005316 - PROCEDE DE FABRICATION DE FLUORURES METALLIQUES DE GRANDE PURETE

Numéro de publication WO/2005/005316
Date de publication 20.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/002034
Date du dépôt international 01.03.2004
CIB
C01B 9/08 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
9Méthodes générales de préparation des halogénures
08Fluorures
C01F 11/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
FCOMPOSÉS DE BÉRYLLIUM, MAGNÉSIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARYUM, RADIUM, THORIUM OU COMPOSÉS DES MÉTAUX DES TERRES RARES
11Composés du calcium, du strontium ou du baryum
20Halogénures
22Fluorures
C30B 29/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
12Halogénures
C30B 33/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
33Post-traitement des monocristaux ou des matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
G02B 1/02 2006.01
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
BÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
1Eléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faits; Revêtements optiques pour éléments optiques
02faits de cristaux, p.ex. sel gemme, semi-conducteurs
CPC
C01B 9/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; ; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
9General methods of preparing halides
08Fluorides
C01F 11/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
FCOMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
11Compounds of calcium, strontium, or barium
20Halides
22Fluorides
C30B 29/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
12Halides
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
G02B 1/02
GPHYSICS
02OPTICS
BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS, OR APPARATUS
1Optical elements characterised by the material of which they are made
02made of crystals, e.g. rock-salt, semi-conductors
Déposants
  • HONEYWELL SPECIALTY CHEMICALS SEELZE GMBH [DE/DE]; Wunstorfer Strasse 40 30926 Seelze, DE (AllExceptUS)
  • THEISSEN, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • KANSCHIK-CONRADSEN, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • THEISSEN, Michael; DE
  • KANSCHIK-CONRADSEN, Andreas; DE
Mandataires
  • BUBLAK, Wolfgang; Bardehle Pagenberg Dost Altenburg Geissler Galileiplatz 1 81679 München, DE
Données relatives à la priorité
103 31 513.611.07.2003DE
60/505,50924.09.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF HIGH PURITY METAL FLUORIDES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE FLUORURES METALLIQUES DE GRANDE PURETE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a process for the manufacture of a highly purified metal fluoride, wherein a less pure metal fluoride is heated up to a temperature allowing a sufficient mobility of the impurities in the crystal lattice and treated with a fluorination agent.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un fluorure métallique hautement purifié. Ce procédé consiste à faire chauffer un fluorure métallique de moins grande pureté de façon qu'il atteigne une température permettant d'obtenir une mobilité suffisante des impuretés dans le réseau cristallin, puis à le traiter avec un agent de fluoration.
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