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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004316 - CONVERTISSEUR CC/CC UTILISANT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE, PROCEDE DE FABRICATION ET MODULE D'ALIMENTATION EN CC UTILISANT CE CONVERTISSEUR

Numéro de publication WO/2005/004316
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009765
Date du dépôt international 02.07.2004
CIB
H01L 29/10 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
10avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/737 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
737Transistors à hétérojonction
H02M 3/155 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
02sans transformation intermédiaire en courant alternatif
04par convertisseurs statiques
10utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
145utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
155utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
CPC
H01L 29/1004
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
06characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
10with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
1004Base region of bipolar transistors
H01L 29/7378
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
70Bipolar devices
72Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
73Bipolar junction transistors
737Hetero-junction transistors
7371Vertical transistors
7378comprising lattice mismatched active layers, e.g. SiGe strained layer transistors
H02M 2001/008
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
1Details of apparatus for conversion
0067Converter structures employing plural converter units, other than for parallel operation of the units on a single load
008Plural converter units for generating at least two independent, non-parallel outputs, e.g. systems with plural point of load switching regulators
H02M 3/155
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3Conversion of dc power input into dc power output
02without intermediate conversion into ac
04by static converters
10using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
145using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
155using semiconductor devices only
H02M 3/1584
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
3Conversion of dc power input into dc power output
02without intermediate conversion into ac
04by static converters
10using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
145using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
155using semiconductor devices only
156with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
158including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
1584with a plurality of power processing stages connected in parallel
Déposants
  • MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome Minato-ku, Tokyo 1088215, JP (AllExceptUS)
  • KAWABATA, Osamu [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • NAKANO, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • UTSUMI, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • KAWABATA, Osamu; JP
  • NAKANO, Koji; JP
  • UTSUMI, Jun; JP
Mandataires
  • KUDOH, Minoru; 6F, Kadoya Bldg. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1400013, JP
Données relatives à la priorité
2003-19155104.07.2003JP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) DC/DC CONVERTER USING BIPOLAR TRANSISTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DC POWER SUPPLY MODULE USING THE SAME
(FR) CONVERTISSEUR CC/CC UTILISANT UN TRANSISTOR BIPOLAIRE, PROCEDE DE FABRICATION ET MODULE D'ALIMENTATION EN CC UTILISANT CE CONVERTISSEUR
Abrégé
(EN)
A DC/DC converter is comprised of a bipolar transistor, an inductor, a smoothing capacitor, an input terminal, an output terminal, and a grounded terminal. A base of the transistor includes a silicon germanium layer. The bipolar transistor has a high switching speed and a low on-state voltage through an optimization of a structure of the transistor.
(FR)
Un convertisseur CC/CC est constitué d'un transistor bipolaire, d'un inducteur, d'un condensateur de lissage, d'une borne d'entrée, d'une borne de sortie et d'une borne de mise à la terre. Une base d'un transistor comprend une couche de germanium de silicium. Le transistor bipolaire a une vitesse de commutation élevée et une faible tension à l'état passant, grâce à l'optimisation d'une structure du transistor.
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