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Paramétrages

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1. WO2005004247 - DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS DE COMPOSE DE NITRURE III

Numéro de publication WO/2005/004247
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/KR2004/001625
Date du dépôt international 02.07.2004
CIB
H01L 33/22 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
20ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
CPC
H01L 33/20
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • EPIVALLEY CO., LTD. [KR/KR]; 51-2 Neungpyeong-ri, Opo-eup Kwangju-si, Kyunggi-do 464-892, KR (AllExceptUS)
  • KIM, Chang Tae [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • KIM, Keuk [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • JEON, Soo Kun [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • JANG, Pil Guk [KR/KR]; KR (UsOnly)
  • KIM, Jong Won [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs
  • KIM, Chang Tae; KR
  • KIM, Keuk; KR
  • JEON, Soo Kun; KR
  • JANG, Pil Guk; KR
  • KIM, Jong Won; KR
Mandataires
  • AN, Sang Jeong; 512-1906, Chonggu Apt. 221, Gumi-dong, Bundang-gu Seongnam-si, Kyunggi-do, 463-715, KR
Données relatives à la priorité
10-2003-004505903.07.2003KR
10-2003-005590712.08.2003KR
10-2003-007075810.10.2003KR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) III-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEURS DE COMPOSE DE NITRURE III
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a III-nitride semiconductor light-emitting device having high external quantum efficiency, provides a III-nitride compound semiconductor light-emitting device including an active layer generating light by recombination of electrons and holes and containing gallium and nitrogen, an n-type AI(x)ln(y)Ga(1-x-y)N layer epitaxially grown before the active layer is grown, and an n-type electrode electrically contacting with the n-type AI(x)ln(y)Ga(1-x-y)N layer, in which the n-type AI(x)ln(y)Ga(1-x-y)N layer has a surface which is exposed by etching and includes a region for scribing and breaking the device and a region for contact with the n-type electrode, and the surface of the region for scribing and breaking the device is roughened, thereby it is possible to increase external quantum efficiency of the light-emitting device.
(FR)
La présente invention a trait à un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs de composé de nitrure III présentant un rendement quantique externe élevé, fournit un dispositif électroluminescent à semi-conducteurs de composé de nitrure III comportant une couche active de génération de lumière par recombinaison d'électrons et de trous et contenant du gallium et de l'azote, une couche de Al(x)In(y)Ga(1-x-y)N de type n obtenue par croissance épitaxiale préalablement à la croissance de la couche active, et une électrode de type n en contact électrique avec la couche Al(x)In(y)Ga(1-x-y)N de type n, la couche Al(x)In(y)Ga(1-x-y)N de type n présentant une surface qui est exposée par gravure et comporte une région pour le rainurage et la rupture du dispositif et une région pour le contact avec l'électrode de type n, et la surface de la région pour le rainurage et la rupture du dispositif est rendue rugueuse, permettant éventuellement l'accroissement du rendement quantique externe du dispositif électroluminescent.
Également publié en tant que
US2007114511
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