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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004245 - SOURCE INFRAROUGE PHOTOLUMINESCENTE

Numéro de publication WO/2005/004245
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/GB2004/002709
Date du dépôt international 24.06.2004
CIB
H01L 33/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 49/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
49Dispositifs à l'état solide non couverts par les groupes H01L27/-H01L47/109; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01S 5/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
H01S 5/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
04Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
H01S 5/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
40Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
H01S 5/42 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
40Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes H01S5/02-H01S5/30130
42Réseaux de lasers à émission de surface
CPC
G02F 2/02
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
2Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
02Frequency-changing of light, e.g. by quantum counters
H01S 5/041
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, ; e.g. by electron beams
041Optical pumping
H01S 5/18388
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
10Construction or shape of the optical resonator ; , e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
18Surface-emitting [SE] lasers
183having a vertical cavity [VCSE-lasers]
18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
18388Lenses
H01S 5/4087
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
4087emitting more than one wavelength
H01S 5/423
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
42Arrays of surface emitting lasers
423having a vertical cavity
Déposants
  • HERIOT-WATT UNIVERSITY [GB/GB]; Edinburgh EH14 4AS, GB (AllExceptUS)
  • TAGHIZADEH, Mohammed, Reza [GB/GB]; GB (UsOnly)
  • CROWDER, John, Graham [GB/GB]; GB (UsOnly)
  • ELLIOT, Charles, Thomas [GB/GB]; GB (UsOnly)
Inventeurs
  • TAGHIZADEH, Mohammed, Reza; GB
  • CROWDER, John, Graham; GB
  • ELLIOT, Charles, Thomas; GB
Mandataires
  • MACDOUGALL, Donald, Carmichael ; Marks & Clerk 19 Royal Exchange Square Glasgow G1 3AE, GB
Données relatives à la priorité
0315177.628.06.2003GB
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOLUMINESCENT INFRARED SOURCE
(FR) SOURCE INFRAROUGE PHOTOLUMINESCENTE
Abrégé
(EN)
A photoluminescent radiation source, particularly for generating infrared radiation. The source is made from a layer of semiconducting material which, when optically pumped, emits radiation in a desired wavelength range, and an output array of micro-lenses attached to an output surface of the semiconducting layer. The output surface of the semiconducting layer is optically immersed by the output array of microlenses. In the preferred embodiment a further, input microlens array is attached to an input surface of the semiconducting layer to focus pump laser irradiation on to the semiconducting layer. The source has many applications, for example in gas sensing, active thermal imaging and infrared spectrometry.
(FR)
L'invention concerne un source de rayonnement photoluminescent permettant notamment de générer des rayons infrarouges. La source est constituée d'une couche de matériau semi-conducteur qui, lorsqu'elle est optiquement pompée, émet des rayons dans une plage de longueurs d'ondes souhaitée et un réseau de sortie de microlentilles attaché à une surface de sortie de la couche semi-conductrice. La couche de sortie de la couche semi-conductrice est immergée optiquement par le réseau de sortie de microlentilles. Dans le mode de réalisation préféré, un autre réseau de microlentilles d'entrée est attaché à une surface d'entrée de la couche semi-conductrice pour concentrer les rayons laser de pompage sur la couche semi-conductrice. La source a plusieurs applications, par exemple, la détection de gaz, l'imagerie thermique active et la spectrométrie infrarouge.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international