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Paramétrages

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1. WO2005004244 - COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EMETTEUR DE RAYONNEMENT

Numéro de publication WO/2005/004244
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/DE2004/001344
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
H01L 33/02 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01S 5/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
30Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
CPC
H01L 33/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
H01L 33/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
025Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
H01S 5/3086
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
305characterised by the doping materials used in the laser structure
3086doping of the active layer
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • BUTENDEICH, Rainer [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • LINDER, Norbert [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • MAYER, Bernd [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • PIETZONKA, Ines [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • BUTENDEICH, Rainer; DE
  • LINDER, Norbert; DE
  • MAYER, Bernd; DE
  • PIETZONKA, Ines; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
103 29 079.627.06.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EMETTEUR DE RAYONNEMENT
Abrégé
(DE)
Bei einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur, die eine n-dotierte Confinementschicht (14), eine p-dotierte Confinementschicht (22), und eine zwischen der n-dotierten Confinementschicht (14) und der p-dotierten Confinementschicht (22) angeordnete aktive, Photonen emittierende Schicht (18) enthält, ist erfindungsgemäß vorgesehen, daß die n-dotierte Confinementschicht (14) mit einem ersten n-Dotierstoff (oder zwei voneinander verschiedenen n-Dotierstoffen) zur Erzeugung einer hohen aktiven Dotierung und eines scharfen Dotierprofils dotiert ist, und die aktive Schicht (18) mit nur einem von dem ersten Dotierstoff verschiedenen zweiten n-Dotierstoff zur Verbesserung der Schichtqualität der aktiven Schicht (18) dotiert ist.
(EN)
The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).
(FR)
L'invention concerne un composant à semiconducteur émetteur de rayonnement présentant une structure stratifiée composée d'une couche de confinement à dopage de type n (14), d'une couche de confinement à dopage de type p (22) et d'une couche active émettrice de photons (18) placée entre la couche de confinement à dopage de type n (14) et la couche de confinement à dopage de type p (22). Selon la présente invention, la couche de confinement à dopage de type n (14) est dopée avec un premier dopant de type n (ou deux dopants de type n différents l'un de l'autre) pour l'obtention d'un haut niveau de dopage actif ainsi que d'un profil de dopage précis et la couche active (18) est dopée avec seulement un second dopant de type n différent du premier dopant, de façon à améliorer la qualité de la couche active (18).
Également publié en tant que
US2006284192
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