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Paramétrages

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1. WO2005004238 - RESISTANCE DEPENDANTE DU DECALAGE PERMETTANT DE MESURER UN DESALIGNEMENT DE MASQUES PIQUES

Numéro de publication WO/2005/004238
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/020573
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
H01L 23/544 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
544Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
CPC
H01L 21/76838
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
H01L 22/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
10Measuring as part of the manufacturing process
12for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
H01L 22/34
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
22Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
34Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven, NL (AllExceptUS)
  • AMATO, Joseph M. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • AMATO, Joseph M.; US
Représentant commun
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.; c/o Shannon Lester 1109 McKay Drive, M/S-SJ41 San Jose, CA 95131-1706, US
Données relatives à la priorité
60/482,27825.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) OFFSET DEPENDENT RESISTOR FOR MEASURING MISALIGNMENT OF STITCHED MASKS
(FR) RESISTANCE DEPENDANTE DU DECALAGE PERMETTANT DE MESURER UN DESALIGNEMENT DE MASQUES PIQUES
Abrégé
(EN)
A system and method for identifying misalignments in an overlapping region of a stitched circuit in an integrated circuit fabrication process. The method comprises: creating a first circuit using a reference mask, wherein first circuit includes a first part of an offset dependent resistor structure in the overlapping region; creating a second circuit using a secondary mask, wherein the second circuit includes a second part of the offset dependent resistor structure in the overlapping region, wherein the.offset dependent resistor structure includes a plurality of nubs that interconnect the first part and the second part of theis offset dependent resistor structure; measuring a resistance across the offset dependent resistor structure; and determining an amount of misalignment based on the measured resistance.
(FR)
L'invention concerne un système et un procédé permettant d'identifier des désalignements dans une région chevauchante d'un circuit piqué dans un processus de fabrication de circuits intégrés. Le procédé consiste: à créer un premier circuit au moyen d'un masque de référence, le premier circuit comprenant une première partie d'une structure de résistance dépendante du décalage dans la région chevauchante; à créer un second circuit au moyen d'un second masque, le second circuit comprenant une seconde partie de la structure de résistance dépendante du décalage dans la région chevauchante, la structure de résistance dépendante du décalage comprenant une pluralité de boutons interconnectant les première et seconde parties de la structure de résistance dépendante du décalage; à mesurer une résistance dans la structure de résistance dépendante du décalage; et à déterminer une proportion de désalignement en fonction de la résistance mesurée.
Également publié en tant que
US2007030335
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