Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004231 - PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES A SEMI-CONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2005/004231
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/DE2004/001329
Date du dépôt international 24.06.2004
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 21/78 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
CPC
B23K 2103/172
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
16Composite materials ; , e.g. fibre reinforced
166Multilayered materials
172wherein at least one of the layers is non-metallic
B23K 26/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
36Removing material
40taking account of the properties of the material involved
B23K 26/53
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
53for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
B23K 26/57
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
26Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
57the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 21/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
78with subsequent division of the substrate into plural individual devices
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • BRUEDERL, Georg [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HAHN, Berthold [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • HAERLE, Volker [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • BRUEDERL, Georg; DE
  • HAHN, Berthold; DE
  • HAERLE, Volker; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
103 28 543.124.06.2003DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON HALBLEITERCHIPS
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF SEMI-CONDUCTOR CHIPS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé
(DE)
Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterchips, insbesondere von strahlungsemittierenden Halbleiterchips, mit jeweils mindestens einem epitaktisch hergestellten funktionellen Halbleiterschichtstapel, das folgende Verfahrensschritte umfaßt: - Bereitstellen eines Aufwachssubstratwafers (1), der im Wesentlichen Halbleitermaterial aus einem hinsichtlich Gitterparameter gleichen oder ähnlichen Halbleitermaterialsystem umfaßt wie dasjenige, auf dem eine Halbleiterschichtenfolge für die funktionellen Halbleiterschichtstapel basiert, - Ausbilden einer parallel zu einer Hauptfläche (100) des Aufwachssubstratwafers (1) liegende Trennzone (4) im Aufwachssubstratwafer (1), - Verbinden des Aufwachssubstratwafers (1) mit einem Hilfsträgerwafer (2), - Abtrennen eines aus Sicht der Trennzone (4) vom Hilfsträgerwafer (2) abgewandten Teiles (11) des Aufwachssubstratwafers (1) entlang der Trennzone (4), - Ausbilden einer Aufwachsfläche auf dem auf dem Hilfsträgerwafer (2) verbliebenen Teil (12) des Aufwachssubstratwafers für ein nachfolgendes epitaktisches Aufwachsen einer Halbleiterschichtenfolge, - Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Aufwachsfläche, - Aufbringen eines Chipsubstratwafers auf die Halbleiter-schichtenfolge, - Abtrennen des Hilfsträgerwafers (2), und - Vereinzeln des Verbundes von Halbleiterschichtenfolge und Chipsubstratwafer (7) zu voneinander getrennten Halbleiterchips.
(EN)
The invention relates to a method for producing a plurality of semi-conductor chips, especially radiation-emitting semi-conductor chips. Said chips comprise, respectively, at least one epitaxially produced functional stack of semi-conductor chips. Said method comprises the following steps: disposing an epitaxial growth substrate wafer (1), which is essentially made of a semi-conductor material which constitutes the same or similar semi-conductor material system in terms of grid parameters as the system on which a semi-conductor layer sequence for the functional semi-conductor stack is based; forming a separation area (4) which is parallel to a main surface (100) of the epitaxial growth substrate wafer (1) in said wafer (1), connecting the epitaxial growth substrate wafer (1) to an auxiliary support wafer (2), separating an opposite section (11) of the epitaxial growth substrate wafer (1) with respect to the separation area (4), from the auxiliary support wafer (2) along said separation area (4), forming an epitiaxial growth surface on the section (12) of the epitaxial growth support surface remaining on the auxiliary support wafer (2) for a subsequent epitaxial growth of the semi-conductor layer sequence; epitaxial growth of the semi-conductor layer sequence (5) on the epitaxial growth surface, depositing a chip substrate wafer on the semi-conductor layer sequence; separating the auxiliary support wafer (2), and dividing the composite semi-conductor layer sequence and chip substrate wafer (7) into individually separated semi-conductor chips.
(FR)
Procédé de fabrication d'une pluralité de puces à semi-conducteur, en particulier de puces à semi-conducteur émettant des rayonnements, ces puces possédant chacune au moins un empilement de couches semi-conductrices fonctionnel fabriqué de manière épitaxiale. Ledit procédé consiste à disposer d'une tranche de substrat de croissance épitaxiale (1) qui comporte essentiellement de la matière semi-conductrice provenant d'un système de matière semi-conductrice identique ou semblable, pour ce qui est des paramètres de grille, à celui sur lequel est basée une suite de couches semi-conductrices pour l'empilement de couches semi-conductrices fonctionnel, à former une zone de séparation (4) parallèle à une surface principale (100) de la tranche de substrat de croissance épitaxiale (1) dans ladite tranche (1), à relier la tranche de substrat de croissance épitaxiale (1) à une tranche de support auxiliaire (2), à séparer une partie de la tranche de substrat de croissance épitaxiale (1) opposée, par rapport à la zone de séparation (4), à la tranche de support auxiliaire (2) le long de ladite zone de séparation (4), à former une surface de croissance épitaxiale sur la partie (12) de la tranche de substrat de croissance épitaxiale restant sur la tranche de support auxiliaire (2) pour une croissance épitaxiale ultérieure d'une suite de couches semi-conductrices, à faire croître par épitaxie la suite de couches semi-conductrices (5) sur la surface épitaxiale, à déposer une tranche de substrat de puce sur la suite de couches semi-conductrices (5), à séparer la tranche de support auxiliaire (2) et à diviser le composite constitué de la suite de couches semi-conductrices et de la tranche de substrat (7) de puce en puces à semi-conducteur individualisées.
Également publié en tant que
DE112004001619
DE1120040016193
Autres publications associées
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international