Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004229 - MANDRIN ELECTROSTATIQUE POUR ETAGE DE SUBSTRAT, ELECTRODE UTILISEE AVEC LE MANDRIN, ET SYSTEME DE TRAITEMENT A MANDRIN ET ELECTRODE

Numéro de publication WO/2005/004229
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/009346
Date du dépôt international 25.06.2004
CIB
H01L 21/683 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H02N 13/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
13Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p.ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
CPC
H01L 21/6831
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6831using electrostatic chucks
H02N 13/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
13Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Déposants
  • 株式会社フューチャービジョン FUTURE VISION INC. [JP/JP]; 〒107-0052 東京都 港区 赤坂2丁目4番1号 白亞ビル3F Tokyo 3rd Floor, Hakua Bldg. 2-4-1, Akasaka Minato-ku, Tokyo 107-0052, JP (AllExceptUS)
  • 小林 聡樹 KOBAYASHI, Toshiki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 岩渕 勝彦 IWABUCHI, Katsuhiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 小林 聡樹 KOBAYASHI, Toshiki; JP
  • 岩渕 勝彦 IWABUCHI, Katsuhiko; JP
Mandataires
  • 小野寺 洋二 ONODERA, Yoji; 〒104-0032 東京都 中央区 八丁堀三丁目9番8号 新京橋第一長岡ビル Tokyo Shin-kyoubashi Dai-ichi Nagaoka Bldg. 9-8, Hacchoobori3-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0032, JP
Données relatives à la priorité
2003/19347908.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROSTATIC CHUCK FOR SUBSTRATE STAGE, ELECTRODE USED FOR THE CHUCK, AND TREATING SYSTEM HAVING THE CHUCK AND THE ELECTRODE
(FR) MANDRIN ELECTROSTATIQUE POUR ETAGE DE SUBSTRAT, ELECTRODE UTILISEE AVEC LE MANDRIN, ET SYSTEME DE TRAITEMENT A MANDRIN ET ELECTRODE
(JA) 基板ステージ用静電チャック及びそれに用いる電極ならびにそれらを備えた処理システム
Abrégé
(EN)
An electrostatic chuck for a substrate stage, wherein highly pure ceramics is thermally sprayed on the surfaces of bar-like base materials to form a single layer thermally sprayed film so as to form electrodes. The plurality of electrodes are arranged at specified intervals.
(FR)
L'invention concerne un mandrin électrostatique pour étage de substrat. Selon cette invention, de la céramique extrêmement pure est pulvérisée thermiquement sur les surfaces de matières de base similaires à des barres pour former un film pulvérisé thermiquement à couche unique dans la formation d'électrodes. Une pluralité d'électrodes sont disposées à des intervalles spécifiés.
(JA)
棒状の基材の表面に高純度セラミックスを溶射して単層の溶射膜を形成して電極を構成し、複数の該電極を隙間を保って配置した基板ステージ用静電チャックとする。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international