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Paramétrages

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1. WO2005004217 - PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT

Numéro de publication WO/2005/004217
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2003/015430
Date du dépôt international 02.12.2003
CIB
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
CPC
H01L 21/67028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
H01L 21/67034
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
67028for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
67034for drying
Déposants
  • S.E.S. CO., LTD. [JP/JP]; 9-18, Imai 3-chome Oume-shi, Tokyo 198-0023, JP (AllExceptUS)
  • NAKATSUKASA, Katsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • OGASAWARA, Kazuhisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • SAKAIHARA, Yoshiaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • HARUKI, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • KAWATE, Munenori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • NAKATSUKASA, Katsuyoshi; JP
  • OGASAWARA, Kazuhisa; JP
  • SAKAIHARA, Yoshiaki; JP
  • HARUKI, Yoshihiro; JP
  • KAWATE, Munenori; JP
Mandataires
  • WIN TECH PATENT OFFICE; 4th FL., Wenping Kanda BLDG. 6-7, Kanda Kajicho 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0045, JP
Données relatives à la priorité
2003-19065402.07.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT
(JA) 基板処理法及び基板処理装置
Abrégé
(EN)
A processing tank (10) is divided into a washing section (15) and a drying section (30), with a clearance formed in the joint between the two sections, the clearance communicating with a sink (29). At the substrate drying time, the substrate is moved from the washing section to the drying section. A porous plate (28) is inserted in the lower region where the clearance is formed. A drying gas is jetted against the substrate with the internal pressure of the drying section (30) kept higher than that of the sink (29) and the internal pressure of the washing section (15) kept lower than that of the drying section (30). In this case, the porous plate (28) is preferably a punching plate having a plurality of small holes of predetermined diameter. Such arrangement provides a substrate processing method and device, capable of supplying a drying gas to an assembly of a plurality of substrates uniformly and stably.
(FR)
L'invention porte sur une cuve de traitement (10) divisée en une section de lavage (15) et une section de séchage (30), un vide séparant les deux sections et communiquant avec un bac (29). Au moment du séchage, le substrat est déplacé de la section de lavage vers la section de séchage. Une plaque poreuse (28) est insérée dans la région inférieure où est formé le vide. Un gaz de séchage est projeté contre le substrat par la pression interne de la section de séchage (30) maintenue supérieure à celle du bac (29), la pression interne de la section de lavage (15) étant maintenue inférieure à celle de la section de séchage (30). Dans ce cas, la plaque poreuse (28) est de préférence une plaque perforée pourvue d'une pluralité de petits trous d'un diamètre prédéterminé. Cet agencement met en oeuvre un procédé et un dispositif de traitement d'un substrat et permet d'amener un gaz de séchage, de manière uniforme et stable, vers un ensemble d'une pluralité de substrats.
(JA)
not available
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