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Paramétrages

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1. WO2005004207 - SYSTEME DE LIAISON SEMI-FUSIBLE POUR UN CIRCUIT INTEGRE MULTICOUCHES ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE

Numéro de publication WO/2005/004207
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/021513
Date du dépôt international 02.07.2004
CIB
H01L 23/525 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
525avec des interconnexions modifiables
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 23/58 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
H01L 23/62 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
62Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p.ex. fusibles, shunts
CPC
G11C 17/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
G11C 17/165
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
17Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
14in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
16using electrically-fusible links
165Memory cells which are electrically programmed to cause a change in resistance, e.g. to permit multiple resistance steps to be programmed rather than conduct to or from non-conduct change of fuses and antifuses
H01L 23/5256
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
525with adaptable interconnections
5256comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
H01L 27/0629
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0611integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
0617comprising components of the field-effect type
0629in combination with diodes, or resistors, or capacitors
H01L 27/0688
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
06including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
0688Integrated circuits having a three-dimensional layout
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
  • ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; Three Technology Way Norwood, MA 02062, US (AllExceptUS)
  • DOYLE, Denis, J. [IE/IE]; IE (UsOnly)
Inventeurs
  • DOYLE, Denis, J.; IE
Mandataires
  • COLEMAN, Roy, J. ; Iandiorio & Teska 260 Bear Hill Road Waltham, MA 02451, US
Données relatives à la priorité
10/777,33712.02.2004US
60/484,36902.07.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMI-FUSIBLE LINK SYSTEM FOR A MULTI-LAYER INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) SYSTEME DE LIAISON SEMI-FUSIBLE POUR UN CIRCUIT INTEGRE MULTICOUCHES ET PROCEDE DE PRODUCTION ASSOCIE
Abrégé
(EN)
A semi-fusible link system (40) and method for a multi-layer integrated circuit (42) including active circuitry (44) on a first layer (46) having a metal one layer (48) including a semi-fusible link element (50) on a second layer (52) having a metal two layer (54) adapted for interconnecting (56) with the metal one layer (48), and a selector circuit (60) disposed on the first layer (46).
(FR)
L'invention concerne un système et un procédé de liaison semi-fusible pour un circuit intégré multi-couches comprenant un circuit actif sur une première couche présentant une première couche métallique, un élément de liaison semi-fusible disposé sur une seconde couche présentant une seconde métallique conçue pour s'interconnecter avec la première couche métallique, et un circuit sélecteur disposé sur la première couche.
Également publié en tant que
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