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Paramétrages

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1. WO2005004205 - PROCEDES DE FORMATION DE MOTIFS CONSTITUES D'UN MATERIAU DIELECTRIQUE CHARGE, SUR DES SUBSTRATS

Numéro de publication WO/2005/004205
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/020707
Date du dépôt international 25.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.01.2005
CIB
H01L 51/40 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
40Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B41M 2205/08
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
2205Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
08Ablative thermal transfer, i.e. the exposed transfer medium is propelled from the donor to a receptor by generation of a gas
B41M 2205/38
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
2205Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
38Intermediate layers; Layers between substrate and imaging layer
B41M 2205/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
2205Printing methods or features related to printing methods; Location or type of the layers
40Cover layers; Layers separated from substrate by imaging layer; Protective layers; Layers applied before imaging
B41M 5/385
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
5Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
26Thermography
382Contact thermal transfer or sublimation processes
385characterised by the transferable dyes or pigments
B41M 5/395
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
5Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
26Thermography
382Contact thermal transfer or sublimation processes
392Additives, other than colour forming substances, dyes or pigments, e.g. sensitisers, transfer promoting agents
395Macromolecular additives, e.g. binders
B41M 5/41
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
MPRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING,
5Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
26Thermography
40characterised by the base ; backcoat; , intermediate, or covering layers, ; e.g. for thermal transfer dye-donor or dye-receiver sheets; Heat, radiation filtering or absorbing means or layers; combined with other image registration layers or compositions; Special originals for reproduction by thermography
41Base layers ; supports or substrates
Déposants
  • E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY [US/US]; 1007 Market Street Wilmington, DE 19898, US (AllExceptUS)
  • BLANCHET-FINCHER, Graciela, Beatriz [US/US]; US (UsOnly)
  • VISSCHER, Karyn, B. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • BLANCHET-FINCHER, Graciela, Beatriz; US
  • VISSCHER, Karyn, B.; US
Mandataires
  • SIEGELL, Barbara, C.; E. I. Du Pont De Nemours and Company Legal Patent Records Center 4417 Lancaster Pike Wilmington, DE 19805, US
Données relatives à la priorité
60/483,86626.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR FORMING PATTERNS OF A FILLED DIELECTRIC MATERIAL ON SUBSTRATES
(FR) PROCEDES DE FORMATION DE MOTIFS CONSTITUES D'UN MATERIAU DIELECTRIQUE CHARGE, SUR DES SUBSTRATS
Abrégé
(EN)
Methods of forming a pattern of filled dielectric material on a substrate by thermal transfer processes are disclosed comprising exposing to heat a thermally imageable donor element comprising a substrate and a transfer layer of dielectric material. The exposure pattern is the image of the desired pattern to be formed on the substrate, such that portions of the layer of dielectric material are transferred onto the substrate where the electronic device is being formed. The filled dielectric material can be patterned onto a gate electrode of a thin film transistor. The pattern dielectric material may also form an insulating layer for interconnects. Donor elements for use in the process are also disclosed. Methods for forming thin film transistors and donor elements for use in the thermal transfer processes are also disclosed.
(FR)
L'invention concerne des procédés de formation d'un motif constitué de matériau diélectrique chargé, sur un substrat, à l'aide de traitements de transfert thermique. Lesdits procédés consistent à exposer à la chaleur un élément donneur permettant de former thermiquement une image et comprenant un substrat ainsi qu'une couche de transfert de matériau diélectrique. Le motif d'exposition constitue l'image du motif que l'on souhaite former sur le substrat, de sorte que des parties de la couche de matériau diélectrique sont transférées sur le substrat sur lequel le dispositif électronique est formé. Le matériau diélectrique chargé peut être imprimé sur une électrode de grille d'un transistor à couche mince. Le matériau diélectrique du motif peut également constituer une couche d'isolation d'interconnexions. L'invention concerne également des éléments donneurs destinés à être utilisés dans ledit procédé. L'invention concerne en outre des procédés de formation de transistors à couche mince et des éléments donneurs destinés à être utilisés dans lesdits traitements de transfert thermique.
Également publié en tant que
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