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Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005004197 - NANOTUBES FLUIDIQUES ET DISPOSITIFS

Numéro de publication WO/2005/004197
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/010854
Date du dépôt international 08.04.2004
CIB
B32B 1/08 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
1Produits stratifiés ayant essentiellement une forme générale autre que plane
08Produits tubulaires
B32B 5/02 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
32PRODUITS STRATIFIÉS
BPRODUITS STRATIFIÉS, c. à d. FAITS DE PLUSIEURS COUCHES DE FORME PLANE OU NON PLANE, p.ex. CELLULAIRE OU EN NID D'ABEILLES
5Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches
02caractérisés par les caractéristiques de structure d'une couche comprenant des fibres ou des filaments
B41J 2/14 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
JMACHINES À ÉCRIRE; MÉCANISMES D'IMPRESSION SÉLECTIVE, c. à d. MÉCANISMES IMPRIMANT AUTREMENT QUE PAR UTILISATION DE FORMES D'IMPRESSION; CORRECTION D'ERREURS TYPOGRAPHIQUES
2Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus
005caractérisés par la mise en contact sélective d'un liquide ou de particules avec un matériau d'impression
01à jet d'encre
135Ajutages
14Leur structure
H01L 21/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 29/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/0328 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
0328comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes H01L31/0272-H01L31/032182
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/602
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
602Nanotubes
C30B 29/605
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
605Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
C30B 33/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
33After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Déposants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94602-5200, US (AllExceptUS)
  • YANG, Peidong [CN/US]; US (UsOnly)
  • HE, Rongrui [CN/US]; US (UsOnly)
  • GOLDBERGER, Joshua [US/US]; US (UsOnly)
  • FAN, Rong [US/US]; US (UsOnly)
  • WU, Yiwing [CN/US]; US (UsOnly)
  • LI, Deyu [CN/US]; US (UsOnly)
  • MAJUMDAR, Arun [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • YANG, Peidong; US
  • HE, Rongrui; US
  • GOLDBERGER, Joshua; US
  • FAN, Rong; US
  • WU, Yiwing; US
  • LI, Deyu; US
  • MAJUMDAR, Arun; US
Mandataires
  • O'BANION, John, P.; O'Banion & Ritchey LLP 400 Capitol Mall, Suite 1550 Sacramento, CA 95814, US
Données relatives à la priorité
10/731,74508.12.2003US
60/461,34608.04.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FLUIDIC NANOTUBES AND DEVICES
(FR) NANOTUBES FLUIDIQUES ET DISPOSITIFS
Abrégé
(EN)
Fluidic nanotube devices (29) are described in which a hydrophilic, non-carbon nanotube (152), has its ends fluidly coupled to reservoirs (154 and 156). Source and drain contacts (164 and 166) are connected to opposing ends of the nanotube, or within each reservoir near the opening of the nanotube. The passage of molecular species can be sensed by measuring current flow (source-drain, ionic, or combination). The tube interior can be functionalized by joining binding molecules (160) so that different molecular species can be sensed by detecting current changes. The nanotube may be a semiconductor (132), wherein a tubular transistor (130) is formed. A gate electrode (146) can be attached between source (136) and drain (138) to control current flow and ionic flow. By way of example an electrophoretic array embodiment is described, integrating MEMs switches. A variety of applications are described, such as: nanopores, nanocapillary devices, nanoelectrophoretic, DNA sequence detectors, immunosensors, thermoelectric devices, photonic devices, nanoscale fluidic bioseparators, imaging devices, and so forth.
(FR)
L'invention concerne des dispositifs à nanotube fluidique, dans lesquels un nanotube exempt de carbone, hydrophile a ses extrémités couplées de façon fluidique aux réservoirs. Des contacts de source et de drain sont reliés aux extrémités opposées du nanotube ou au sein de chaque réservoir à proximité de l'ouverture du nanotube. Le passage d'espèces moléculaires peut être détecté par mesure du débit de courant (source-drain, ionique ou combinaison). L'intérieur du tube peut être fonctionnalisé par assemblage de molécules de liaison, de manière à ce que différentes espèces moléculaires peuvent être détectées par détection de changements de courant. Le nanotube peut être un semi-conducteur, dans lequel un transistor tubulaire est formé. Une électrode grille peut être fixée entre la source et le drain afin de réguler le débit du courant et le flux ionique. Cette invention a aussi trait à un réseau électrophorétique qui intègre des commutateurs MEMS, ainsi qu'à plusieurs applications, telles que des nanopores, des dispositifs nanocapillaires, des détecteurs de séquences d'ADN, nanoélectrophorétiques, des immunodétecteurs, des dispositifs thermoélectriques, des dispositifs photoniques, des bioséparateurs fluidiques à l'échelle nanométrique, des dispositifs d'imagerie etc.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international