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Paramétrages

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1. WO2005004163 - COMBINAISON DE L'ANISOTROPIE INTRINSEQUE ET DE L'ANISOTROPIE DE FORME, PERMETTANT D'OBTENIR DES FLUCTUATIONS DE CHAMP DE COMMUTATION REDUITES

Numéro de publication WO/2005/004163
Date de publication 13.01.2005
N° de la demande internationale PCT/EP2004/006191
Date du dépôt international 08.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 23.03.2005
CIB
G11C 11/16 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H01L 31/107 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Déposants
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
  • BRAUN, Daniel [DE/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • BRAUN, Daniel; FR
Mandataires
  • SAVIC, Bojan; Müller Hoffmann & Partner Innere Wiener Str. 17 81667 München, DE
  • KOTTMANN, Dieter; Müller-Hoffmann & Partner Innere Wiener Strasse 17 81667 München, DE
Données relatives à la priorité
10/465,14419.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) COMBINATION OF INTRINSIC AND SHAPE ANISOTROPY FOR REDUCED SWITCHING FIELD FLUCTUATIONS
(FR) COMBINAISON DE L'ANISOTROPIE INTRINSEQUE ET DE L'ANISOTROPIE DE FORME, PERMETTANT D'OBTENIR DES FLUCTUATIONS DE CHAMP DE COMMUTATION REDUITES
Abrégé
(EN)
A magnetic memory cell and method of manufacturing thereof, wherein the angle between the shape anisotropy axis and the intrinsic anisotropy axis of the magnetic material layer is optimized to minimize fluctuations in the switching field. The angle between shape anisotropy axis and intrinsic anisotropy axis is preferably between 45 and less than 90 degrees. Magnetic layers may be used having increased thickness, resulting in increased activation energy. Magnetic memory cells may be manufactured that are more stable for long term storage and have improved write margins.
(FR)
L'invention concerne une cellule mémoire magnétique et un procédé permettant sa fabrication, l'angle formé entre l'axe d'anisotropie de forme et l'axe d'anisotropie intrinsèque de la couche de matériau magnétique, étant optimisé de façon à minimiser les fluctuations du champ de commutation. L'angle formé entre l'axe d'anisotropie de forme et l'axe d'anisotropie intrinsèque, vaut de préférence entre 45 et moins de 90 degrés. Des couches magnétiques d'épaisseur améliorée, peuvent être utilisées, ce qui permet d'obtenir une énergie d'activation supérieure. L'invention permet d'obtenir des cellules mémoires magnétiques qui sont plus stables au stockage à long terme et ont des marges d'écriture améliorées.
Également publié en tant que
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