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Paramétrages

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1. WO2005002054 - INTERRUPTEUR A SEMICONDUCTEUR

Numéro de publication WO/2005/002054
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/007756
Date du dépôt international 28.05.2004
CIB
H03K 17/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
CPC
H03K 17/567
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
567Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT
H03K 17/6871
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6871the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
Déposants
  • サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 〒3528666 埼玉県新座市北野3丁目6番3号 Saitama 6-3, Kitano 3-chome Niiza-shi, Saitama 3528666, JP (AllExceptUS)
  • 森田 浩一 MORITA, Koichi [JP/JP]; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 森田 浩一 MORITA, Koichi; null
Mandataires
  • 三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目2番3号 Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001, JP
Données relatives à la priorité
2003-18710630.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR SWITCH
(FR) INTERRUPTEUR A SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体スイッチ
Abrégé
(EN)
A semiconductor switch includes a normally-ON type FET Q3 connected in series to a first and a second normally-OFF type FET Q1, Q2. The normally-ON type FET Q3 is connected between the first normally-OFF type FET Q1 and the second normally-OFF type FET Q2.
(FR)
L'invention concerne un interrupteur à semiconducteur comprenant un transistor à effet de champ de type à déplétion Q3, connecté en série à des premier et second transistors à effet de champ de type à enrichissement Q1, Q2. Le transistor à effet de champ de type à déplétion Q3 est connecté entre le premier transistor à effet de champ de type à enrichissement Q1 et le second transistor à effet de champ de type à enrichissement Q2.
(JA)
ノーマリオン型のFETQ3と第1及び第2のノーマリオフ型のFETQ1,Q2とを直列に接続してなる半導体スイッチであって、ノーマリオン型のFETQ3を第1のノーマリオフ型FETQ1と第2のノーマリオフ型のFETQ2との間に接続してなる。
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