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Paramétrages

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1. WO2005002012 - DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMICONDUCTEUR NITRURE ET SON PROCEDE DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/002012
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008604
Date du dépôt international 18.06.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 01.12.2004
CIB
H01L 21/28 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 33/40 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01S 5/022 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
SDISPOSITIFS UTILISANT LE PROCÉDÉ D'AMPLIFICATION DE LA LUMIÈRE PAR ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT POUR AMPLIFIER OU GÉNÉRER DE LA LUMIÈRE; DISPOSITIFS UTILISANT L’ÉMISSION STIMULÉE DE RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE DANS DES GAMMES D’ONDES AUTRES QU'OPTIQUES
5Lasers à semi-conducteurs
02Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022Supports; Boîtiers
CPC
H01L 2224/05114
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05101the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
05114Thallium [Tl] as principal constituent
H01L 2224/05117
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05117the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
H01L 2224/05124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05117the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
05124Aluminium [Al] as principal constituent
H01L 2224/05138
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
H01L 2224/05139
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
05139Silver [Ag] as principal constituent
H01L 2224/05144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
05001Internal layers
05099Material
051with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
05138the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
05144Gold [Au] as principal constituent
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 〒5458522 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 Osaka 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
  • 山本 秀一郎 YAMAMOTO, Shuichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小河 淳 OGAWA, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 石田 真也 ISHIDA, Masaya [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 神川 剛 KAMIKAWA, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 山本 秀一郎 YAMAMOTO, Shuichiro; JP
  • 小河 淳 OGAWA, Atsushi; JP
  • 石田 真也 ISHIDA, Masaya; JP
  • 神川 剛 KAMIKAWA, Takeshi; JP
Mandataires
  • 深見 久郎 FUKAMI, Hisao; 〒5300054 大阪府大阪市北区南森町2丁目1番29号 三井住友銀行南森町ビル 深見特許事務所 Osaka Fukami Patent Office, Mitsui Sumitomo Bank Minamimorimachi Bldg., 1-29, Minamimorimachi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-0054, JP
Données relatives à la priorité
2003-18731830.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMICONDUCTEUR NITRURE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 窒化物系半導体発光装置およびその製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed are a nitride semiconductor light-emitting device having excellent reliability and long life and a method for manufacturing such a nitride semiconductor light-emitting device. A nitride semiconductor light-emitting chip is mounted on a submount (103) in which chip a nitride semiconductor layer and a first electrode (211) are formed on the front surface of a conductive substrate and a second electrode (212) is formed on the back surface of the conductive substrate. The submount (103) mounted with the nitride semiconductor light-emitting chip is mounted on a stem (105), thereby forming a nitride semiconductor light-emitting device.
(FR)
L'invention concerne un dispositif électroluminescent à semiconducteur nitrure possédant une fiabilité excellente et une longue durée de vie, ainsi que son procédé de fabrication. Une puce électroluminescente à semiconducteur nitrure est montée sur une embase (103) dans laquelle une couche de semiconducteur nitrure de puce et une première électrode (211) sont formées sur la surface frontale d'un substrat conducteur et une seconde électrode (212) est formée sur la surface arrière dudit substrat. L'embase (103) sur laquelle est montée la puce électroluminescente à semiconducteur nitrure est montée sur une tige (105), un dispositif électroluminescent à semiconducteur nitrure étant ainsi formé.
(JA)
 優れた信頼性と長寿命とを有する窒化物系半導体発光装置およびその製造方法を提供する。導電性基板の表面の上に窒化物系半導体層、第1の電極(211)を形成し、導電性基板の裏面に第2の電極(212)を形成した窒化物系半導体発光素子チップをサブマウント(103)上にマウントし、さらに窒化物系半導体発光素子チップがマウントされたサブマウントをステム(105)上にマウントさせて窒化物系半導体発光装置を形成させる。
Également publié en tant que
US2007051968
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international