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Paramétrages

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1. WO2005001941 - STRUCTURES DE RESEAUX DE PHOTODIODES RETROECLAIRES ULTRAFINS ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2005/001941
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/020835
Date du dépôt international 22.06.2004
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H01L 27/148 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
148Capteurs d'images à couplage de charge
H01L 31/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/0352 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/105 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
105la barrière de potentiel étant du type PIN
CPC
H01L 27/1446
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1446in a repetitive configuration
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
Déposants
  • SEMICOA [US/US]; 333 McCormick Avenue Costa Mesa, CA 92626, US (AllExceptUS)
  • GOUSHCHA, Alexander, O. [US/US]; UA (UsOnly)
  • HICKS, Chris [US/US]; US (UsOnly)
  • METZLER, Richard, A. [US/US]; US (UsOnly)
  • KALATSKY, Mark [US/US]; US (UsOnly)
  • BARTLEY, Eddie [US/US]; US (UsOnly)
  • TULBURE, Dan [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • GOUSHCHA, Alexander, O.; UA
  • HICKS, Chris; US
  • METZLER, Richard, A.; US
  • KALATSKY, Mark; US
  • BARTLEY, Eddie; US
  • TULBURE, Dan; US
Mandataires
  • BLAKELY, Roger, W., Jr.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025-1026, US
Données relatives à la priorité
10/606,05325.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ULTRA THIN BACK-ILLUMINATED PHOTODIODE ARRAY STRUCTURES AND FABRICATION METHODS
(FR) STRUCTURES DE RESEAUX DE PHOTODIODES RETROECLAIRES ULTRAFINS ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
Ultra thin back-illuminated photodiode array structures and fabrication methods. The photodiode arrays are back illuminated photodiode arrays having a substrate of a first conductivity type having first and second surfaces, the second surface having a layer of the first conductivity type having a greater conductivity than the substrate. The arrays also have a matrix of regions of a first conductivity type of a higher conductivity than the substrate extending from the first surface of the substrate to the layer of the first conductivity type having a greater conductivity than the substrate, a plurality of regions of the second conductivity type interspersed within the matrix of regions of the first conductivity type and not extending to the layer of the first conductivity type on the second surface of the substrate, and a plurality of contacts on the first surface for making electrical contact to the matrix of regions of the first conductivity type and the plurality of regions of the second conductivity type.
(FR)
L'invention concerne des structures de réseaux de diodes rétroéclairés ultrafins et leurs procédés de fabrication. L'invention concerne des réseaux de photodiodes rétroéclairés comportant un substrat possédant un premier type de conductivité ainsi qu'une première et une seconde surface, la seconde surface comprenant une couche possédant le premier type de conductivité, conductivité supérieure à celle du substrat. Les réseaux comportent également une matrice de régions possédant un premier type de conductivité qui est supérieure à celle du substrat, matrice qui s'étend entre la première surface du substrat et la couche possédant le premier type de conductivité supérieure à celle du substrat, une pluralité de régions possédant le second type de conductivité, réparties dans la matrice de régions possédant le premier type de conductivité et qui ne s'étendent pas jusqu'à la couche possédant le premier type de conductivité sur la seconde surface du substrat, et une pluralité de contacts sur la premier surface, destinés à former un contact électrique pour la matrice de régions possédant le premier type de conductivité et la pluralité de régions possédant le second type de conductivité.
Également publié en tant que
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