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Paramétrages

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1. WO2005001940 - TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP

Numéro de publication WO/2005/001940
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008895
Date du dépôt international 24.06.2004
CIB
H01L 21/336 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/786 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 51/0516
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0516characterised by the gate dielectric
H01L 51/0545
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
0545Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the organic semiconductor layer is formed after the gate electrode
H01L 51/0595
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0575the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
0595molecular electronic devices
Déposants
  • TDK COROPORATION [JP/JP]; 1-13-1, Nihonbashi Chuo-ku, Tokyo 1038272, JP (AllExceptUS)
  • 益田 由紀 MASUDA, Yuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 小林 信夫 KOBAYASHI, Nobuo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 益田 由紀 MASUDA, Yuki; JP
  • 小林 信夫 KOBAYASHI, Nobuo; JP
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA, Yoshiki; 〒1040061 東京都中央区銀座一丁目10番6号 SOEI Patent and Law Firm Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061, JP
Données relatives à la priorité
2003-18559327.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé
(EN)
An organic FET (1) is disclosed which comprises a gate insulating film (41) and a modifying layer (43) sequentially formed on a substrate (2) in this order, a source electrode (6) and a drain electrode (8) formed on the modifying layer (43) at a certain distance from each other, and an organic semiconductor layer (10) formed on top of and between the electrodes (6, 8). The modifying layer (43), which is fixed on the gate insulating film (41) and covered with the organic semiconductor layer (10), contains a specific cyano group-containing compound or is composed only of a specific cyano group-containing compound.
(FR)
L'invention concerne un transistor organique à effet de champ (1) qui comprend un film isolant (41), faisant office de grille, et une couche de modification (43), formés de manière séquentielle sur un substrat (2), dans l'ordre indiqué, une électrode de source (6) et une électrode de drain (8) formées sur la couche de modification (43) à une certaine distance l'une de l'autre, et une couche de semi-conducteur organique (10) formées sur les électrodes (6, 8) et entre ces dernières. La couche de modification (43), qui est fixée sur le film isolant (31) faisant office de grille et recouverte par la couche de semi-conducteur organique (10), contient un composé spécifique renfermant un groupe cyano ou est constituée uniquement d'un composé spécifique renfermant un groupe cyano.
(JA)
 有機FET1は、基板2上にゲート絶縁膜41及び改質層43がこの順に形成され、更にその上に一定の間隔をおいて配置されたソース電極6及びドレイン電極8を有しており、且つ、これらの電極6,8の上方及び間に有機半導体層10が形成されたものである。ゲート絶縁膜41上に固着され且つ有機半導体層10に被着された改質層43は、特定のシアノ基含有化合物が含有されて成るもの、又は、特定のシアノ基含有化合物のみから成るものである。
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