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Paramétrages

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1. WO2005001916 - PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM ET TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM

Numéro de publication WO/2005/001916
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008725
Date du dépôt international 21.06.2004
CIB
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
C30B 29/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
06Silicium
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
C30B 23/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
002Controlling or regulating
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 25/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
12Substrate holders or susceptors
C30B 25/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
16Controlling or regulating
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
Déposants
  • 信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 〒1000005 東京都千代田区丸の内一丁目4番2号 Tokyo 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP (AllExceptUS)
  • 西澤 毅 NISHIZAWA, Tsuyoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 西澤 毅 NISHIZAWA, Tsuyoshi; JP
Mandataires
  • 荒船 良男 ARAFUNE, Yoshio; 〒1620832 東京都新宿区岩戸町18番地 日交神楽坂ビル5階 光陽国際特許法律事務所内 Tokyo c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM, 5F., Nikko Kagurazaka Bldg., 18, Iwatocho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832, JP
Données relatives à la priorité
2003-18261526.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON EPITAXIAL WAFER AND SILICON EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM ET TRANCHE EPITAXIALE EN SILICIUM
(JA) シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
Abrégé
(EN)
A method for producing a silicon epitaxial wafer is disclosed which enables to suppress formation of a little roughness on the backside of a silicon epitaxial wafer, thereby controlling the haze level of the entire backside to 50 ppm or less. The method comprises a hydrogen heat treatment step wherein a silicon single crystal substrate placed on a susceptor, which is arranged in a reaction vessel for supporting silicon single crystal wafers, is subjected to a heat treatment in a hydrogen atmosphere, and a vapor growth step wherein a silicon epitaxial layer is vapor-deposited after the hydrogen heat treatment step. In this method, the silicon single crystal substrate is separated from the susceptor during the hydrogen heat treatment step, while the substrate is placed on the susceptor during the vapor growth step.
(FR)
L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale en silicium permettant de supprimer la formation d'une petite rugosité à l'arrière de la tranche épitaxiale en silicium, ce qui permet de contrôler la ligne de brume sèche de tout l'arrière à 50ppm maximum. Ce procédé comprend une étape de traitement thermique à l'hydrogène au cours de laquelle un substrat monocristallin en silicium placé sur un matériau interactif, qui est disposé dans un récipient de réaction afin de soutenir les tranches monocristallines en silicium, est soumis à un traitement thermique dans une atmosphère d'hydrogène, et une étape de croissance en phase vapeur au cours de laquelle une couche épitaxiale en silicium est déposée par vapeur après l'étape de traitement thermique à l'hydrogène. Au cours de ce procédé, le substrat monocristallin en silicium est séparé du matériau interactif au cours de l'étape de traitement thermique à l'hydrogène, pendant que le substrat est placé sur le matériau interactif au cours de l'étape de croissance en phase vapeur.
(JA)
not available
Également publié en tant que
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