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Paramétrages

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1. WO2005001901 - MASQUE DUR POUVANT ETRE DEVELOPPE PAR VOIE HUMIDE CONJOINTEMENT A UNE PHOTORESINE MINCE POUR MICRO-PHOTOLITHOGRAPHIE

Numéro de publication WO/2005/001901
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018851
Date du dépôt international 10.06.2004
CIB
G03C 1/492 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
1Matériaux photosensibles
005Emulsions à l'halogénure d'argent; Leur préparation; Leur traitement physique; Incorporation d'additifs
492Emulsions photosolubles
G03C 1/494 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
1Matériaux photosensibles
494Compositions de sels d'argent autres que des émulsions à l'halogénure d'argent; Systèmes photothermographiques
G03C 1/76 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
1Matériaux photosensibles
76Matériaux photosensibles caractérisés par le support ou les couches auxiliaires
G03C 5/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
5Procédés photographiques ou agents à cet effet; Régénération de tels agents de traitement
H01L 21/31 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
CPC
G03F 7/091
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
091characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
G03F 7/094
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
094Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
G03F 7/095
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
095having more than one photosensitive layer
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
H01L 21/3081
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
302to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
308using masks
3081characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
H01L 21/32139
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
3213Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
32139using masks
Déposants
  • BREWER SCIENCE, INC. [US/US]; 2401 Brewer Drive Rolla, MO 65401, US (AllExceptUS)
  • SUN, Sam, X [US/US]; US (UsOnly)
  • LI, Chenghong [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • SUN, Sam, X; US
  • LI, Chenghong; US
Mandataires
  • BORNMAN, Tracy, L.; Hovey Williams LLP Suite 400 2405 Grand Boulevard Kansas City, MO 64108, US
Données relatives à la priorité
10/864,78708.06.2004US
60/477,58011.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) WET DEVELOPABLE HARD MASK IN CONJUNCTION WITH THIN PHOTORESIST FOR MICRO PHOTOLITHOGRAPHY
(FR) MASQUE DUR POUVANT ETRE DEVELOPPE PAR VOIE HUMIDE CONJOINTEMENT A UNE PHOTORESINE MINCE POUR MICRO-PHOTOLITHOGRAPHIE
Abrégé
(EN)
A novel process for using a hard mask or protective layer in conjunction with an extremely thin photoresist is provided. In this process, a thin film of the protective layer is coated on the surface of a substrate that is to be selectively modified by reactive ion etch (RIE). The protective layer is photosensitive and anti-reflective. An extremely thin photoresist layer is coated on top of the protective layer. The stack of the films is selectively exposed to actinic radiation at a wavelength determined by the sensitivities of the protective layer and photoresist layer. The latent images on the photoresist and protective layers resulting from the exposure are developed with a common alkaline developer. The three dimensional patterns of photoresist and underlying protective layer are formed simultaneously by the single exposure and single development. When the underlying substrate is etched by RIE, the protective layer is the masking layer, not the photoresist.
(FR)
La présente invention se rapporte à un nouveau procédé d'utilisation d'un masque dur ou d'une couche protectrice conjointement à une photorésine extrêmement mince. Selon ce procédé, un film mince de la couche protectrice est déposé sur la surface d'un substrat qui doit être modifié sélectivement par gravure ionique réactive (RIE). La couche protectrice est photosensible et antiréfléchissante. Une couche de photorésine extrêmement mince est déposée sur le dessus de la couche protectrice. L'empilement des films est exposé sélectivement à un rayonnement actinique à une longueur d'onde déterminée par les sensibilités de la couche protectrice et de la couche de photorésine. Les images latentes sur la couche de photorésine et la couche protectrice, qui résultent de l'exposition, sont développées au moyen d'un révélateur alcalin commun. Les motifs tridimensionnels de la photorésine et de la couche protectrice sous-jacente sont formés simultanément par exposition simple et développement simple. Lorsque le substrat sous-jacent est gravé par RIE, la couche protectrice est la couche de masquage, non la photorésine.
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