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1. WO2005001898 - PROCEDE DE CONCEPTION D'UN RETICULE ET DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A L'AIDE DE CE DERNIER

Numéro de publication WO/2005/001898
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/017863
Date du dépôt international 07.06.2004
CIB
G03C 5/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
CMATÉRIAUX PHOTOSENSIBLES POUR LA PHOTOGRAPHIE; PROCÉDÉS PHOTOGRAPHIQUES, p.ex. PROCÉDÉS CINÉMATOGRAPHIQUES, AUX RAYONS X, EN COULEURS OU STÉRÉOPHOTOGRAPHIQUES; PROCÉDÉS AUXILIAIRES EN PHOTOGRAPHIE
5Procédés photographiques ou agents à cet effet; Régénération de tels agents de traitement
G03F 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
9Mise en registre ou positionnement d'originaux, de masques, de trames, de feuilles photographiques, de surfaces texturées, p.ex. automatique
CPC
G03F 1/36
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
1Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
36Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Déposants
  • FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West Austin, TX 78735, US (AllExceptUS)
  • LUCAS, Kevin, D. [US/US]; US (UsOnly)
  • BOONE, Robert, E. [US/US]; US (UsOnly)
  • CARTER, Russell, L. [US/US]; US (UsOnly)
  • CONLEY, Willard, E. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • LUCAS, Kevin, D.; US
  • BOONE, Robert, E.; US
  • CARTER, Russell, L.; US
  • CONLEY, Willard, E.; US
Mandataires
  • KING, Robert, L. ; Corporate Law Department Intellectual Property Section 7700 West Parmer Lane MD: TX32/PL02 Austin, TX 78729, US
Données relatives à la priorité
10/455,85606.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF DESIGNING A RETICLE AND FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
(FR) PROCEDE DE CONCEPTION D'UN RETICULE ET DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A L'AIDE DE CE DERNIER
Abrégé
(EN)
A method of designing and forming a reticle (404), as well as the manufacture of a semiconductor substrate (410) using the reticle, includes defining a first edge of a reticle layout file. The first edge corresponds to a reference feature (12, 14). The method further includes using the reference feature to insert a subresolution assist feature (62, 64) into the reticle layout file. The subresolution assist feature is at an angle (&thetas;) with respect to a line (82 ,84) containing the first edge, wherein the angle differs from 90 degrees. In one embodiment, the subresolution assist features can be manually or automatically inserted into the layout file after the locations of the assist features have been determined. The subresolution assist features are not patterned on the substrate, but assist in forming resist features of uniform dimension.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de conception et de formation d'un réticule (404) ainsi que la fabrication d'un substrat semi-conducteur (410) au moyen du réticule, le procédé consistant à définir un premier bord d'un fichier de conception du réticule. Le premier bord correspond à une caractéristique de référence (12, 14). Le procédé consiste également à utiliser la caractéristique de référence pour insérer une caractéristique (62, 64) d'aide à la sous-résolution dans le fichier de conception du réticule. La caractéristique d'aide à la sous-résolution se situe à un angle (?) par rapport à une ligne (82, 84) contenant le premier bord, ledit angle étant différent de 90 degrés. Dans une forme de réalisation, les caractéristiques d'aide à la sous-résolution peuvent être insérées manuellement ou automatiquement dans le fichier de conception après la détermination des emplacements des caractéristiques d'aide. Les caractéristiques d'aide à la sous-résolution ne sont pas tracées sur le substrat, mais facilitent la formation de caractéristiques de réserve de dimension uniforme.
Également publié en tant que
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