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Paramétrages

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1. WO2005001859 - APPAREIL ET PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE D'UN DISPOSITIF

Numéro de publication WO/2005/001859
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018978
Date du dépôt international 16.06.2004
CIB
B81B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
B81B 7/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
7Systèmes à microstructure
B81C 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H01L 21/8238 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8238Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H01L 27/14 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
CPC
B81C 1/00238
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
00238Joining a substrate with an electronic processing unit and a substrate with a micromechanical structure
Déposants
  • ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way Norwood, MA 02062-9106, US (AllExceptUS)
  • WACHTMANN, Bruce, K. [US/US]; US (UsOnly)
  • JUDY, Michael [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • WACHTMANN, Bruce, K.; US
  • JUDY, Michael; US
Mandataires
  • SAUNDERS, Steven, G. ; Bromberg & Sunstein LLP 125 Summer Street Boston, MA 02110-1618, US
Données relatives à la priorité
10/601,98023.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MICROMECHANICAL APPARATUS AND METHOD OF FORMING A MICROMECHANICAL DEVICE LAYER
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE D'UN DISPOSITIF
Abrégé
(EN)
A method of forn-ting a MEMS device produces a device layer wafer having a pre-formed conductive pathway before coupling it with a handle wafer. To that end, the method produces the noted device layer wafer by 1) providing a material layer, 2) coupling a conductor to the material layer, and 3) forn-ting at least two conductive paths through at least a portion of the material layer to the conductor. The method then provides the noted handle wafer, and couples the device layer wafer to the handle wafer. The wafers are coupled so that the conductor is contained between the material layer and the handle wafer.
(FR)
L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif MEMS, qui permet de produire une plaquette couche du dispositif présentant un trajet conducteur préformé préalablement à son couplage avec une plaquette de manipulation. A cette fin, le procédé est mis en oeuvre pour produire la plaquette couche du dispositif: 1) en utilisant une couche de matériau; 2) en couplant un conducteur à la couche de matériau; et 3) en formant au moins deux trajets conducteurs menant au conducteur, au travers d'au moins une partie de la couche de matériau. Le procédé est ensuite mis en oeuvre pour utiliser la plaquette de manipulation et coupler la plaquette couche du dispositif à la plaquette de manipulation. Les plaquettes sont couplées de façon à disposer le conducteur entre la couche de matériau et la plaquette de manipulation.
Également publié en tant que
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