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1. WO2005001592 - PROCEDE DE GESTION DE LA MEMOIRE FLASH RESISTANT A LA CORRUPTION DE DONNEES PAR LE BIAIS D'UNE PERTE DE PUISSANCE

Numéro de publication WO/2005/001592
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/IL2004/000400
Date du dépôt international 12.05.2004
CIB
G06F 12/00 2006.01
GPHYSIQUE
06CALCUL; COMPTAGE
FTRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12Accès à, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoires
CPC
G06F 12/0246
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
12Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
02Addressing or allocation; Relocation
0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
023Free address space management
0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
0246in block erasable memory, e.g. flash memory
G06F 2212/7202
GPHYSICS
06COMPUTING; CALCULATING; COUNTING
FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
2212Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
72Details relating to flash memory management
7202Allocation control and policies
G11C 11/5628
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
56using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
5621using charge storage in a floating gate
5628Programming or writing circuits; Data input circuits
G11C 16/34
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
16Erasable programmable read-only memories
02electrically programmable
06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
Déposants
  • M-SYSTEMS FLASH DISK PIONEERS LTD. [IL/IL]; Central Park 2000 7 Atir Yeda St. 44425 Kfar Saba, IL (AllExceptUS)
  • LASSER, Menachem [IL/IL]; IL (UsOnly)
Inventeurs
  • LASSER, Menachem; IL
Mandataires
  • FRIEDMAN, Mark M.; 7 Haomanim Street 67897 Tel Aviv, IL
Données relatives à la priorité
10/608,18930.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FLASH MEMORY MANAGEMENT METHOD THAT IS RESISTANT TO DATA CORRUPTION BY POWER LOSS
(FR) PROCEDE DE GESTION DE LA MEMOIRE FLASH RESISTANT A LA CORRUPTION DE DONNEES PAR LE BIAIS D'UNE PERTE DE PUISSANCE
Abrégé
(EN)
A method for managing page-based data storage media such as flash media, a system that uses that method, and a computer-readable storage medium bearing code for implementing the method. New data are written to the storage medium in a manner that precludes corruption of old data if the writing of the new data is interrupted. Specifically, risk zones are defined, by identifying, for each page, the other pages whose data are put at risk of corruption if writing to the page is interrupted. A page, that otherwise would be the target of a write operation, is not written if any of the pages in its risk zone contain data that could be corrupted if the write operation is interrupted.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gestion de supports de données basés sur des pages, tels que des supports flash, un système utilisant ce procédé, et un support de données lisible par ordinateur doté d'un code d'implémentation dudit procédé. De nouvelles données sont écrites sur le support de données de manière à empêcher la corruption de vieilles données, si l'écriture des nouvelles données est interrompue. De manière spécifique, des zones de risque sont définies par identification pour chaque page, des autres pages dont des données sont exposées à une corruption, si l'écriture sur la page est interrompue. Autrement dit, une page qui pourrait être la cible d'une opération d'écriture, n'est pas écrite si une des pages dans sa zone de risque contient des données qui pourraient être corrompues, si l'opération d'écriture est interrompue.
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