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1. WO2005001490 - CELLULE DE MEMOIRE DE COMMANDE DE COMMUTATEUR REGLE THERMIQUEMENT

Numéro de publication WO/2005/001490
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/020327
Date du dépôt international 23.06.2004
CIB
H01L 31/119 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
115Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire
119caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS
CPC
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
H01L 43/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
10Selection of materials
Déposants
  • NVE CORPORATION [US/US]; 11409 Valley View Road Eden Prairie, Minnesota 55344, US (AllExceptUS)
  • DAUGHTON, James, M. [US/US]; US (UsOnly)
  • POHM, Arthur, V. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • DAUGHTON, James, M.; US
  • POHM, Arthur, V.; US
Mandataires
  • NEILS, Theodore, F. ; Kinney & Lange, PA 312 South Third Street Minneapolis, Minnesota 55415-1002, US
Données relatives à la priorité
60/483,37123.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) THERMALLY OPERATED SWITCH CONTROL MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE DE COMMANDE DE COMMUTATEUR REGLE THERMIQUEMENT
Abrégé
(EN)
A ferromagnetic thin-film based digital memory having a substrate supporting bit structures that are electrically interconnected with information storage and retrieval circuitry and having magnetic material films in which a characteristic magnetic property is substantially maintained below an associated critical temperature above which such magnetic property is not maintained separated by at least one layer of a nonmagnetic material with each bit structure having an interconnection structure providing electrical contact thereto at a contact surface thereof substantially parallel to the intermediate layer positioned between the first contact surface and the substrate. A plurality of word line structures located across from a corresponding one of the bit structures on an opposite side of the intermediate layer of a corresponding one of said bit structures from its interconnection structure provides electrical contact thereto. Sufficient electrical current selectively drawn through each of these bit structures and its interconnection structure can cause substantial heating of that bit structure to raise temperatures thereof to have at least one of the magnetic material films therein at least approach its corresponding associated critical temperature while being substantially above temperatures of at least an adjacent said bit structure because of sufficient thermal isolation.
(FR)
L'invention concerne une mémoire numérique à films minces ferromagnétiques comprenant un substrat servant de support à des structures de bit électriquement interconnectées à un circuit de stockage et de récupération d'informations, et comprenant des films magnétiques présentant une propriété magnétique caractéristique sensiblement maintenue en dessous d'une température critique associée au-dessus de laquelle la propriété n'est pas maintenue, séparés par au moins une couche de matériau non magnétique, chaque structure de bit présentant une structure d'interconnexion assurant un contact électrique au niveau d'une surface de contact sensiblement parallèle à la couche intermédiaire positionnée entre la première surface de contact et le substrat. Une pluralité de structures de lignes de mots, situées chacune en parallèle avec une structure de bit correspondante sur un côté opposé de la couche intermédiaire d'une structure de bit correspondante et de sa structure d'interconnexion, génèrent un contact électrique. Un courant électrique suffisant circulant de manière sélective dans chacune desdites structures de bit et la structure d'interconnexion permet de chauffer sensiblement une structure de bit afin d'élever sa température, de manière qu'au moins un des films magnétiques se rapproche au moins de la température critique associée correspondante, tout en restant sensiblement au-dessus des températures d'au moins une structure de bit adjacente grâce à une isolation thermique suffisante.
Également publié en tant que
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