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Paramétrages

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1. WO2005001161 - MATERIAU DE MASQUAGE POUR GRAVURE IONIQUE REACTIVE, MASQUE ET PROCEDE DE GRAVURE SECHE

Numéro de publication WO/2005/001161
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/JP2004/008232
Date du dépôt international 11.06.2004
CIB
C23F 4/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
FENLÈVEMENT NON MÉCANIQUE DE MATÉRIAU MÉTALLIQUE DES SURFACES; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; MOYENS POUR EMPÊCHER L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL; PROCÉDÉS À ÉTAPES MULTIPLES POUR LE TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES UTILISANT AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT PAR LA CLASSE C23 ET AU MOINS UN PROCÉDÉ COUVERT SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C21D, SOIT PAR LA SOUS-CLASSE C22F, SOIT PAR LA CLASSE C25308
4Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe C23F1/ ou C23F3/149
G11B 5/855 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
84Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
855Revêtement d'une partie seulement d'un support avec une couche magnétique
CPC
C23F 4/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE
4Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
G11B 5/855
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
855Coating only part of a support with a magnetic layer
Déposants
  • TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 〒1038272 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 Tokyo 1-13-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1038272, JP (AllExceptUS)
  • 大川 秀一 OKAWA, Shuichi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 服部 一博 HATTORI, Kazuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 大川 秀一 OKAWA, Shuichi; JP
  • 服部 一博 HATTORI, Kazuhiro; JP
Mandataires
  • 松山 圭佑 MATSUYAMA, Keisuke; 〒1510053 東京都渋谷区代々木二丁目10番12号 南新宿ビル Tokyo Minami-Shinjuku Bldg., 10-12, Yoyogi 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510053, JP
Données relatives à la priorité
2003-18846830.06.2003JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MASK MATERIAL FOR REACTIVE ION ETCHING, MASK AND DRY ETCHING METHOD
(FR) MATERIAU DE MASQUAGE POUR GRAVURE IONIQUE REACTIVE, MASQUE ET PROCEDE DE GRAVURE SECHE
(JA) 反応性イオンエッチング用のマスク材料、マスク及びドライエッチング方法
Abrégé
(EN)
A dry etching method is disclosed which enables to precisely process an object region of a body to be etched through reactive ion etching wherein a carbon monoxide gas to which a nitrogen compound-containing gas is added is used as the reaction gas. A material for a first mask layer (18) covering a magnetic thin film layer (16) contains silicon and tantalum.
(FR)
L'invention concerne un procédé de gravure sèche qui permet de traiter précisément une zone objet d'un corps à graver par gravure ionique réactive, dans lequel un gaz de monoxyde de carbone auquel est ajouté un gaz contenant un composé d'azote est utilisé en tant que gaz de réaction. L'invention concerne également un matériau contenant du silicium et du tantale, destiné à former une première couche de masquage (18) recouvrant une couche mince magnétique (16).
(JA)
 含窒素化合物ガスが添加された一酸化炭素ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて被加工体のエッチング対象領域を精密に加工することができるドライエッチング方法等を提供する。磁性薄膜層16を被覆する第1のマスク層18の材料を、ケイ素と、タンタルと、を含む材料とした。
Également publié en tant que
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