Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2005000552 - PROCEDE PERMETTANT DE REDUIRE L'ACCROCHAGE ENTRE UNE REGION EPOUSANT LA FORME ET UN MOTIF DE MOULE

Numéro de publication WO/2005/000552
Date de publication 06.01.2005
N° de la demande internationale PCT/US2004/018857
Date du dépôt international 10.06.2004
CIB
B29C 59/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
CFAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES MATIÈRES À L'ÉTAT PLASTIQUE NON PRÉVU AILLEURS; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
59Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
B82Y 40/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
40Manufacture or treatment of nanostructures
G03F 7/0002
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
Déposants
  • MOLECULAR IMPRINTS, INC. [US/US]; 1807-C West Braker Lane, Suite 100 Austin, TX 78758-3605, US (AllExceptUS)
  • BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM [US/US]; 201 West 7th Street, 7th Floor Austin, TX 78701, US (AllExceptUS)
Inventeurs
  • CHOI, Byung-Jin; US
  • XU, Frank Y.; US
  • STACEY, Nicholas A.; US
  • TRUSKETT, Van N.; US
  • WATTS, Michael P.C.; US
Mandataires
  • BROOKS, Kenneth, C.; Legal Department Molecular Imprints, Inc. P.O. Box 81536 Austin, TX 78708-1536, US
Données relatives à la priorité
10/463,39617.06.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD TO REDUCE ADHESION BETWEEN A CONFORMABLE REGION AND A PATTERN OF A MOLD
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE REDUIRE L'ACCROCHAGE ENTRE UNE REGION EPOUSANT LA FORME ET UN MOTIF DE MOULE
Abrégé
(EN)
The present invention provides a method to reduce adhesion between a conformable region on a substrate and a pattern of a mold, which selectively comes into contact with the conformable region. The method features forming a conformable material on the substrate and contacting the conformable material with the surface. A conditioned layer is formed from the conformable material. The conditioned layer has first and second sub-portions, with the first sub-portion being solidified and the second sub-portion having a first affinity for the surface and a second affinity for the first sub-portion. The first affinity is greater than the second affinity. In this fashion, upon separation of the mold from the conditioned layer, a subset of the second sub-portion maintains contact with the mold, thereby reducing the probability that a pattern formed in the conditioned layer becomes compromised.
(FR)
La présente invention concerne un procédé qui permet de réduire l'accrochage entre une région épousant la forme située sur un substrat et un motif de moule, qui vient sélectivement en contact avec la région épousant la forme. Le procédé consiste à former une matière épousant la forme sur le substrat et à mettre en contact, avec la surface, la matière épousant la forme. Une couche conditionnée est formée à partir de la matière épousant la forme. La couche conditionnée comporte des première et deuxième sous-parties, la première sous-partie étant solidifiée et la deuxième sous-partie ayant une première affinité pour la surface et une deuxième affinité pour la première sous-partie. La première affinité est supérieure à la deuxième affinité. De cette manière, lorsque le moule est séparé de la couche conditionnée, un sous-ensemble de la deuxième sous-partie reste en contact avec le moule, ce qui réduit ainsi la probabilité qu'un motif formé dans la couche conditionnée soit endommagé.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international