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1. (WO2004103035) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CET APPAREIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/103035    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006434
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 13.05.2004
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H05H 1/24 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP) (Tous Sauf US).
HINO, Mamoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MAYUMI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ITO, Takumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEHARA, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONO, Takayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HINO, Mamoru; (JP).
MAYUMI, Satoshi; (JP).
ITO, Takumi; (JP).
UEHARA, Tsuyoshi; (JP).
ONO, Takayuki; (JP)
Mandataire : WATANABE, Noboru; Kudanminami Green Bldg. 3F. 7-7, Kudanminami 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1020074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-136295 14.05.2003 JP
2004-028339 04.02.2004 JP
2004-077216 17.03.2004 JP
2004-077217 17.03.2004 JP
2004-142333 12.05.2004 JP
2004-142334 12.05.2004 JP
2004-142335 12.05.2004 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE CET APPAREIL
(JA) プラズマ処理装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing apparatus is disclosed which comprises a conductive member (51) arranged on a side of each electrode (31, 32) which faces a work (W) with an insulating member (41) intervening therebetween. Namely, the insulating member (41) is interposed between the each electrode (31, 32) and the conductive member (51). The dielectric constant and thickness of the insulating member (41) are so set that a voltage applied to a gap (40b) between the insulating member (41) and the conductive member (51) is lower than the sparking voltage. Consequently, electric discharge in the gap (40b) can be prevented, thereby improving process quality.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement au plasma comprenant un élément conducteur (51) disposé sur un côté de chacune des électrode (31, 32) placées face à une pièce (W), et séparé de l'électrode par un élément isolant (41). L'élément isolant (41) est intercalé entre chaque électrode (31, 32) et l'élément conducteur (51). La constante diélectrique et l'épaisseur de l'élément isolant (41) sont définis de telle manière que la tension appliquée au niveau de l'espace (40b) séparant l'élément isolant (41) de l'élément conducteur (51) est inférieure à la tension d'amorçage. La formation de décharges électriques peut ainsi être évitée dans l'espace (40b), ce qui permet d'améliorer la qualité de traitement.
(JA) プラズマ処理装置は、電極31,32のワークWを向くべき側に絶縁部材41を介して導電部材51が設けられている。電極31,32と導電部材51の間には、絶縁部材41が挟まれている。絶縁部材41の誘電率と厚さは、該絶縁部材41と導電部材51の間の間隙40bかかる電圧が火花電圧より小さくなるように設定されている。これによって、間隙40bで放電が起きるのを防止でき、ひいては処理品質を高めることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)