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1. WO2004102793 - PRESERVATION DES DIMENSIONS DE DISPOSITIFS EN COURS DE GRAVURE SUR UN MASQUE LITHOGRAPHIQUE

Numéro de publication WO/2004/102793
Date de publication 25.11.2004
N° de la demande internationale PCT/US2004/014459
Date du dépôt international 06.05.2004
CIB
H01L 21/311 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105Post-traitement
311Gravure des couches isolantes
CPC
H01L 21/31138
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
311Etching the insulating layers ; by chemical or physical means
31127Etching organic layers
31133by chemical means
31138by dry-etching
Déposants
  • APPLIED MATERIAL, INC. [US]/[US]
Inventeurs
  • KOENIG, Alfred, Wolfgang
  • HAMAKER, Henry, Christopher
  • SCHOENLEBER, Walter
Mandataires
  • BERNADICOU, Michael, A.
Données relatives à la priorité
10/435,11409.05.2003US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAINTAINING THE DIMENSIONS OF FEATURES BEING ETCHED ON A LITHOGRAPHIC MASK
(FR) PRESERVATION DES DIMENSIONS DE DISPOSITIFS EN COURS DE GRAVURE SUR UN MASQUE LITHOGRAPHIQUE
Abrégé
(EN)
An apparatus for etching a metal-containing material of a lithographic mask has a chamber with a support for supporting the mask inside the chamber. Over the metal-containing material, the mask comprises a resist layer having features with sidewalls. A gas distributor, gas energizer, and gas exhaust are provided. A controller is provided that is adapted to control one or more of the gas distributor, gas energizer, and gas exhaust to (i) deposit a sacrificial coating on the sidewalls of the features in the resist layer, and (ii) etch the metal-containing material of the mask. Coincidental etching of the sidewalls of the features in the resist layer overlying the metal-containing material is reduced by the sacrificial coating formed thereon.
(FR)
La présente invention concerne un appareil servant à graver un matériau contenant du métal dans un masque lithographique. Cet appareil comporte une chambre pourvue d'un support servant à tenir le masque dans la chambre. Au-dessus du matériau contenant du métal, le masque comprend une couche de réserve pourvue de dispositifs à parois latérales. L'appareil comporte un distributeur de gaz, un activeur de gaz, et une évacuation de gaz. On dispose d'un contrôleur servant à commander l'un au moins du distributeur de gaz, de l'activeur de gaz, et de l'évacuation de gaz, de façon, d'une part à (i) déposer une couche sacrificielle sur les parois latérales du dispositif dans le couche de réserve, et d'autre part à (ii) graver le matériau contenant du métal dans le masque. La présence de la couche sacrificielle sur les parois latérales des dispositifs réalisés dans la couche de réserve recouvrant le matériau contenant du métal permet de réduire l'attaque chimique simultanée de ces parois.
Également publié en tant que
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