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1. (WO2004102789) AMPLIFICATEUR DE TENSION A GAIN CONSTANT A BANDE LARGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102789    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014595
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 10.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.12.2004    
CIB :
H03F 1/30 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121 (US) (Tous Sauf US).
WU, Yue [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WU, Yue; (US)
Mandataire : WADSWORTH, Philip, R.; Qualcomm Incorporated, 5775 Morehouse Drive, San Diego, CA 92121-1714 (US)
Données relatives à la priorité :
10/434,675 09.05.2003 US
Titre (EN) WIDEBAND CONSTANT-GAIN VOLTAGE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE TENSION A GAIN CONSTANT A BANDE LARGE
Abrégé : front page image
(EN)A wideband, constant-gain voltage amplifier. An input transistor has a transconductance that is a function of temperature and fabrication process. A transimpedance amplifier is connected to the input transistor. The transimpedance amplifier has a transimpedance that is a function of temperature and process that is substantially the inverse of the function of temperature and fabrication process of the transconductance of the input transistor.
(FR)L'invention concerne un amplificateur de tension à gain constant à bande large. Un transistor d'entrée présente une transconductance qui est fonction de la température et du processus de fabrication. Un amplificateur à transimpedance est connecté au transistor d'entrée. L'amplificateur à transimpedance a une transimpedance qui est fonction de la température et du processus qui sont sensiblement l'inverse de la fonction de température et du processus de fabrication de la transconductance du transistor d'entrée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)