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1. (WO2004102753) SOURCE D'IMPULSIONS DE LASER SEMICONDUCTEUR À COUPLAGE DE MODES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102753    N° de la demande internationale :    PCT/DE2004/000939
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 04.05.2004
CIB :
H01S 5/065 (2006.01)
Déposants : FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27 C, 80686 München (DE) (Tous Sauf US).
KAISER, Ronald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
FIDORRA, Sybille [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HEIDRICH, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HÜTTL, Bernd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KAISER, Ronald; (DE).
FIDORRA, Sybille; (DE).
HEIDRICH, Helmut; (DE).
HÜTTL, Bernd; (DE)
Données relatives à la priorité :
103 22 112.3 10.05.2003 DE
Titre (DE) MODENGEKOPPELTE HALBLEITERLASER-PULSQUELLE
(EN) MODE-LOCKED SEMICONDUCTOR LASER PULSE SOURCE
(FR) SOURCE D'IMPULSIONS DE LASER SEMICONDUCTEUR À COUPLAGE DE MODES
Abrégé : front page image
(DE)Monolithisch integrierte, modengekoppelte Halbleiterlaser-Pulsquellen, die in Linearanordnung neben einer sättigbaren Absorbersektion und eine Verstär­kersektion noch eine Gitter-, Phasen- und Heizstreifensektion enthalten können, sind in unterschiedlicher Bauweise bekannt. Insbesondere bei ultra­ hochfrequenten Anwendungen ist eine hochgenaue Einstellung der erzeug­baren Pulsfolgefrequenz unter Erreichung minimaler Pulsbreiten bedeutsam. Herstellungsbedingte Abweichungen müssen daher nachträglich kompensiert werden, was jedoch in vielen Fällen nicht erreichbar ist, sodass die Produktionsausbeute entsprechend sinkt. Zur kostengünstigen und repro­ duzierbaren Herstellung derartiger Pulsquellen mit einer einfachen und zuverlässigen Kompensation von Abweichungen in der erzeugten Pulsfolge­frequenz frep weist die Pulsquelle nach der Erfindung ein hochgenau vorgeb­bares Längenverhältnis r der Länge Lga;n der Verstärkersektion zur Länge Labsorb der Absorbersektion nach einer kontinuierlichen, genau definierten Geradengleichung L\frep = c - m - F mit den streuwertbehafteten Konstanten c= 304 ± 50 und m= 61,4 ± 5 auf. Bei einer derartigen Dimensionierung kann zuverlässig ein besonders großer Abstimmbereich Afrep erzielt werden. Durch weitere konstruktive Maßnahmen, insbesondere durch eine laterale Beschränkung der Pulsquelle, durch die Verwendung galvanisch verstärkter Luftbrücken zur Kontaktierung sowie durch eine elektronische und gleichzeitig thermische Feineinstellung kann das Abstimmverhalten noch verbessert werden.
(EN)The invention relates to monolithically integrated, mode-locked semiconductor laser pulse sources that can contain, in a linear arrangement, a grid section, a phase section, and a heating strip section, in addition to a saturable absorber section and an amplifier section, said pulse sources being known with various different structures. A highly precise adjustment of the producible pulse repetition frequency, achieving minimum pulse widths, is important especially for ultra-high frequency applications. Production-related variations must be thus subsequently compensated so that the production yield falls correspondingly, something which cannot, however, be achieved in many cases. The aim of the invention is to economically produce such pulse sources in a reproducible manner, compensating variations in the generated pulse repetition frequency frep in a simple and reliable manner. To this end, the inventive pulse source has an aspect ratio r, that can be determined in a highly precise manner, of the length Lgain of the amplifier section to the length Labsorb of the absorber section according to a continuous, precisely defined equation of the straight line $g(D)frep = c m.$g(G) with the constants c= 304 ± 50 and m= 61.4 ± 5 affected by erratic values. An especially large tuning range Afrep can be reliably achieved with such dimensioning. Other constructive measures, especially a lateral limitation of the pulse source, the use of galvanically reinforced air-lifts for contacting, and an electronic and simultaneously thermal fine adjustment, enable the tuning behaviour to be improved even more.
(FR)Différents types de sources d'impulsions de laser semi-conducteur, à couplage de modes et intégrées de manière monolithique, sont connus, ces sources pouvant contenir en disposition linéaire, outre une partie absorbeur saturable et une partie amplificateur, une partie grille, une partie phase et une partie bande de chauffage. Un réglage très précis de la fréquence des trains d'impulsions générée pour des durées d'impulsions minimales est important, notamment pour des applications à ultra-haute fréquence. Des écarts dus à la fabrication doivent donc être compensés a posteriori, ce qui, dans de nombreux cas, n'est pas possible, si bien que le rendement de production décroît d'autant. L'invention vise à créer une source d'impulsions de fabrication peu onéreuse et reproductible, cette source étant dotée d'une compensation simple et fiable des écarts dans la fréquence des trains d'impulsions générée frep. A cet effet, la source d'impulsions selon l'invention est pourvue d'un rapport de longueur $g(G) très précisément déterminé entre la longueur Lgain de la partie amplificateur et la longueur Labsorb de la partie absorbeur, conformément à une équation linéaire continue précisément définie $g(D)frep = c - m $g(G), les constantes soumises à la variance étant c= 304 ± 50 et m= 61,4 ± 5. De telles dimensions permettent d'obtenir de façon fiable une gamme d'accord $g(D)frep particulièrement étendue. Le comportement d'accord peut encore être amélioré par d'autres mesures conceptuelles, notamment une limite latérale de la source d'impulsions, l'utilisation de ponts aériens à renforcement galvanique pour les contacts et la mise au point précise à la fois électronique et thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)