WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2004102686) FABRICATION DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES PAR ISOLATION D'IMPLANTATION IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102686    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014023
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 06.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.03.2005    
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703 (US) (Tous Sauf US).
WU, Yifeng [CN/US]; (US) (US Seulement).
NEGLEY, Gerald, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
SLATER, JR., David, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
TSVETKOV, Valeri, F. [RU/US]; (US) (US Seulement).
SUVOROV, Alexander [RU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WU, Yifeng; (US).
NEGLEY, Gerald, H.; (US).
SLATER, JR., David, B.; (US).
TSVETKOV, Valeri, F.; (US).
SUVOROV, Alexander; (US)
Mandataire : SUMMA, Philip; Summa & Allan, P.A., Suite 200, 11610 N. Community House Road, Charlotte, NC 28277 (US)
Données relatives à la priorité :
60/320,182 09.05.2003 US
Titre (EN) LED FABRICATION VIA ION IMPLANT ISOLATION
(FR) FABRICATION DE DIODES ELECTROLUMINESCENTES PAR ISOLATION D'IMPLANTATION IONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light emitting diode includes a semiconductor substrate, an epitaxial layer of n-type Group III nitride on the substrate, a p-type epitaxial layer of Group III nitride on the n-type epitaxial layer and forming a p-n junction with the n-type layer, and a resistive gallium nitride region on the n-type epitaxial layer and adjacent the p-type epitaxial layer for electrically isolating portions of the p-n junction. A metal contact layer is formed on the p-type epitaxial layer. In method embodiments disclosed, the resistive gallium nitride border is formed by forming an implant mask on the p-type epitaxial region and implanting ions into portions of the p-type epitaxial region to render portions of the p-type epitaxial region semi-insulating. A photoresist mask or a sufficiently thick metal layer may be used as the implant mask.
(FR)La présente invention a trait à une diode électroluminescente comportant un substrat semi-conducteur, une couche épitaxiale de nitrure de Groupe III de type n sur le substrat, une couche épitaxiale de nitrure de Groupe III de type p sur la couche épitaxiale de type n et formant une jonction p-n avec la couche de type n, et une région résistive de nitrure de gallium sur la couche épitaxiale de type n et adjacente à la couche épitaxiale de type p pour l'isolation électrique de portions de la jonction p-n. Une couche métallique de contact est formée sur la couche épitaxiale de type p. Dans de modes de réalisation du procédé, la limite résistive de nitrure de gallium est formée par la formation d'un masque d'implantation sur la région épitaxiale de type p et l'implantation d'ions dans les portions de la région épitaxiale de type p pour rendre les portions de la région épitaxiale de type p semi-isolantes. Un masque de photorésine ou une couche métallique suffisamment épaisse peut être utilisé(e) en tant que masque d'implantation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)