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1. (WO2004102678) DIODE DE DERIVATION POUR CELLULES PHOTOVOLTAIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102678    N° de la demande internationale :    PCT/AU2004/000667
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 19.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    20.12.2004    
CIB :
H01L 31/05 (2006.01)
Déposants : SOLAR SYSTEMS PTY LTD [AU/AU]; 6 Luton Lane, HAWTHORN, Victoria 3122 (AU) (Tous Sauf US).
LASICH, John, Beavis [AU/AU]; (AU) (US Seulement)
Inventeurs : LASICH, John, Beavis; (AU)
Mandataire : GRIFFITH HACK; 509 St Kilda Road, MELBOURNE, Victoria 3004 (AU)
Données relatives à la priorité :
60/471,342 19.05.2003 US
Titre (EN) BYPASS DIODE FOR PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) DIODE DE DERIVATION POUR CELLULES PHOTOVOLTAIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A photovoltaic power module (10), comprising a substrate (12) provided with a circuit, one or more photovoltaic cells (16) mounted to the substrate and electrically connected to the circuit, and one or more bypass diodes (20), each corresponding to a respective one or more of the cells, wherein each of the diodes is located between the substrate and the cells and between conducting portions (14) of the circuit. Solder (18) connects the bypass diode, the conducting portions, and the photovoltaic cell.
(FR)Un module d'alimentation photovoltaïque (10) comprend un substrat (12) avec un circuit, une ou plusieurs cellules photovoltaïques (16) montées sur le substrat et connectées électriquement au circuit, et une ou plusieurs diodes de dérivation (20) dont chacune correspond à une ou plusieurs cellules, respectivement. Chacune des diodes est située entre le substrat et les cellules et entre les parties conductrices (14) du circuit. Une soudure (18) connecte la diode de dérivation, les parties conductrices et la cellule photovoltaïque.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)