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1. (WO2004102677) SUBSTRAT CONDUCTEUR TRANSPARENT POUR BATTERIE SOLAIRE ET PROCEDE DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102677    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/006130
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 28.04.2004
CIB :
C03C 17/34 (2006.01)
Déposants : ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 12-1, Yurakucho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008405 (JP) (Tous Sauf US).
FUKAWA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANEDA, Naoki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SATO, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUKAWA, Makoto; (JP).
TANEDA, Naoki; (JP).
SATO, Kazuo; (JP)
Mandataire : SENMYO, Kenji; Torimoto Kogyo Bldg., 38, Kanda-Higashimatsushitacho Chiyoda-ku, Tokyo 1010042 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-134847 13.05.2003 JP
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR SOLAR BATTERY AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT CONDUCTEUR TRANSPARENT POUR BATTERIE SOLAIRE ET PROCEDE DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT
(JA) 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A transparent conductive substrate for solar batteries is disclosed which has high haze values that vary only a little over the whole substrate and is excellent in light transmittance. The transparent conductive substrate for solar batteries is characterized in that a TiO2 layer, an SiO2 layer and an SnO2 layer are sequentially formed on a substrate in this order, in that the SnO2 layer has a thickness of 0.5-0.9 μm, and in that the C light source haze value thereof is 20-60%.
(FR)La présente invention concerne un substrat conducteur transparent pour batteries solaires, qui est doté de valeurs de trouble élevées ne variant que faiblement sur la totalité du substrat et qui possède un facteur de transmission excellent. Ce substrat conducteur transparent pour batteries solaires se caractérise en ce qu'une couche TiO2, une couche SiO2 et une couche SnO2 sont formées en séquence sur un substrat, dans cet ordre, en ce que la couche SnO2 possède une épaisseur comprise entre 0,5 et 0,9 $g(m)m, et en ce que la valeur de trouble de la source lumineuse C de ce substrat est comprise entre 20 et 60 %.
(JA)ヘイズ率が高く、基板全体として見た場合にヘイズ率のばらつきが少なく、かつ光透過性に優れた太陽電池用透明導電性基板及びその製造方法を提供する。 基体上に、TiO2層、SiO2層およびSnO2層が該基体側からこの順に形成されており、前記SnO2膜の層厚は、0.5~0.9μmであり、C光源ヘイズ率が20~60%であることを特徴とする太陽電池用透明導電性基板。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)