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1. (WO2004102666) STRUCTURE DE LIGNES DE BITS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CETTE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102666    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/050525
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 14.04.2004
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
KAKOSCHKE, Ronald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHULER, Franz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TEMPEL, Georg [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : KAKOSCHKE, Ronald; (DE).
SCHULER, Franz; (DE).
TEMPEL, Georg; (DE)
Mandataire : KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, P.O. Box 100234, 85593 Baldham (DE)
Données relatives à la priorité :
10321740.1 14.05.2003 DE
Titre (DE) BITLEITUNGSSTRUKTUR SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) BIT LINE STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) STRUCTURE DE LIGNES DE BITS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CETTE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Bitleitungsstruktur sowie ein zu gehöriges Herstellungsverfahren, wobei zumindest in einem Be reich eines zweiten Kontakts (KS) und der daran angrenzenden ersten Kontakte (KD) ein Isolationsgraben (T) mit einer elek trisch leitenden Grabenfüllschicht (5) aufgefüllt ist, welche die an den zweiten Kontakt (KS) angrenzenden ersten Dotierge biete (D) zur Realisierung einer vergrabenen Kontakt-Umge hungsleitung miteinander verbindet.
(EN)The invention relates to a bit line structure, in addition to a corresponding production method. According to said method, an isolation trench (T) is filled with an electrically conductive trench-fill material (5) at least in the vicinity of a second contact (KS) and of an adjoining first contact (KD), said layer interconnecting the first doping regions (D) that adjoin the second contact (KS) to obtain a buried contact bypass line.
(FR)L'invention concerne une structure de lignes de bits et un procédé de production de cette structure. Selon l'invention, une tranchée d'isolation (T) est remplie d'une couche de remplissage de tranchée électriquement conductrice (5) au moins au niveau d'un second contact (KS) et des premiers contacts (KD) adjacents à celui-ci, cette couche reliant les premières régions de dopage (D) adjacentes au second contact (KS) pour former une ligne enfouie de contournement de contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)