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1. (WO2004102643) METROLOGIE D'OUVERTURES DE CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102643    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014450
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
CIB :
H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01), H01L 23/544 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS ISRAEL, LTD. [IL/IL]; 8 Oppenheimer Street, 76236 Rohovot (IL) (AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BJ, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GW, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IS, IT, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MC, MD, MG, MK, ML, MN, MR, MW, MX, MZ, NA, NE, NI, NL, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SN, SY, SZ, TD, TG, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM only).
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, California 95052 (US) (ZW only).
KADYSHEVITCH, Alexander [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
TALBOT, Chris [US/US]; (US) (US Seulement).
SHUR, Dmitry [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
HEGEDUS, Andreas G. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KADYSHEVITCH, Alexander; (IL).
TALBOT, Chris; (US).
SHUR, Dmitry; (IL).
HEGEDUS, Andreas G.; (US)
Mandataire : FAHMI, Tarek; 12400 Wilshire Boulevard, Seventh Floor, Los Angeles, CA 90025-1030 (US)
Données relatives à la priorité :
10/434,977 09.05.2003 US
Titre (EN) CONTACT OPENING METROLOGY
(FR) METROLOGIE D'OUVERTURES DE CONTACT
Abrégé : front page image
(EN)A method for process monitoring includes receiving a sample having a first layer that is at least partially conductive and a second layer formed over the first layer, following production of contact openings in the second layer by an etch process, the contact openings including a plurality of test openings having different, respective transverse dimensions. A beam of charged particles is directed to irradiate the test openings. In response to the beam, at least one of a specimen current flowing through the first layer and a total yield of electrons emitted from a surface of the sample is measured, thus producing an etch indicator signal. The etch indicator signal is analyzed as a function of the transverse dimensions of the test openings so as to assess a characteristic of the etch process.
(FR)L'invention concerne un procédé de contrôle de processus, qui consiste à recevoir un échantillon présentant une première couche au moins partiellement conductrice et une seconde couche formée sur la première couche, consécutivement à la réalisation d'ouvertures de contact dans la seconde couche par un processus de gravure. Les ouvertures de contact comprennent une pluralité d'ouvertures d'essai présentant des dimensions apparentes respectives différentes. Un faisceau de particules chargées est dirigé de façon à irradier les ouvertures d'essai. En réaction au faisceau, au moins un courant échantillon circulant à travers la première couche ou une puissance totale d'électrons émanant de la surface de l'échantillon est mesuré(e), produisant ainsi un signal indicateur de gravure. Le signal indicateur de gravure est analysé en fonction des dimensions apparentes des ouvertures d'essai, de façon à déterminer une caractéristique du processus de gravure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)