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1. (WO2004102635) PROCEDES DE CONSERVATION DE COUCHES DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS SOUS CONTRAINTE AU COURS D'UN TRAITEMENT CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102635    N° de la demande internationale :    PCT/US2003/034576
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 30.10.2003
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : AMBERWAVE SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 13 Garabedian Drive, Salem, NH 03079-4235 (US)
Inventeurs : CURRIE, Matthew, T.; (US).
LOCHTEFELD, Anthony, J.; (US)
Mandataire : BELOBORODOV, Mark, L.; Patent Administrator, Goodwin Procter LLP, Exchange Place, 53 State Street, Boston, MA 02109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/422,468 30.10.2002 US
Titre (EN) METHODS FOR PRESERVING STRAINED SEMICONDUCTOR LAYERS DURING OXIDE LAYER FORMATION
(FR) PROCEDES DE CONSERVATION DE COUCHES DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS SOUS CONTRAINTE AU COURS D'UN TRAITEMENT CMOS
Abrégé : front page image
(EN)Oxidation methods, which avoid consuming undesirably large amounts of surface material in Si/SiGe heterostructure-based wafers, replace various intermediate CMOS thermal oxidation steps. First, by using oxide deposition methods, arbitrarily thick oxides may be formed with little or no consumption of surface silicon. These oxides, such as screening oxide and pad oxide, are formed by deposition onto, rather than reaction with and consumption of the surface layer. Alternatively, oxide deposition is preceded by a thermal oxidation step of short duration, e.g., rapid thermal oxidation. Here, the short thermal oxidation consumes little surface Si, and the Si/oxide interface is of high quality. The oxide may then be thickened to a desired final thickness by deposition. Furthermore, the thin thermal oxide may act as a barrier layer to prevent contamination associated with subsequent oxide deposition.
(FR)Les procédés d'oxydation qui empêchent la consommation de grandes quantités indésirables de matière de surface dans des plaquettes basées sur une hétérostructure Si/SiGe, remplacent diverses étapes d'oxydation thermique CMOS intermédiaires. Tout d'abord, la mise en oeuvre de procédés de dépôt d'oxyde permet de former des oxydes arbitrairement épais avec peu ou pas de consommation du silicium de surface. Ces oxydes, du type oxyde pour sérigraphie et oxyde pour plage d'accueil, sont formés par dépôt sur la couche de surface plutôt que par réaction avec cette couche de surface avec consommation de cette dernière. Le dépôt d'oxyde peut également être précédé par une étape d'oxydation thermique de courte durée, par exemple, une oxydation thermique rapide. Dans ce cas, l'oxydation thermique rapide consomme peu de silicium de surface, et l'interface Si/oxyde est de grande qualité. L'oxyde peut ensuite être épaissi au moyen d'un dépôt lui conférant une épaisseur finale désirée. En outre, l'oxyde thermique en couche mince peut agir en tant que couche barrière pour empêcher la contamination associée au dépôt d'oxyde subséquent.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)