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1. (WO2004102620) PROCEDE DE PASSIVATION DE SURFACES CONDUCTRICES AU COURS DU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102620    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013373
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 30.04.2004
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
FLAKE, John, C. [US/FR]; (FR) (US Seulement).
COOPER, Kevin, E. [US/FR]; (FR) (US Seulement).
USMANI, Saifi [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FLAKE, John, C.; (FR).
COOPER, Kevin, E.; (FR).
USMANI, Saifi; (US)
Mandataire : KING, Robert, L.; Corporate Law Department, Intellectual Property Section, 7700 West Parmer Lane, MD: TX32/PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/431,053 07.05.2003 US
Titre (EN) METHOD TO PASSIVATE CONDUCTIVE SURFACES DURING SEMICONDUCTOR PROCESSING
(FR) PROCEDE DE PASSIVATION DE SURFACES CONDUCTRICES AU COURS DU TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for processing semiconductor wafers is disclosed. A solution is applied to a semiconductor wafer to prevent dendrites and electrolytic reactions at the surface of metal interconnects. The solution can be applied during a CMP process or during a post CMP cleaning process. The solution may include a surfactant and a corrosion inhibitor. In one embodiment, the concentration of the surfactant in the solution is less than approximately one percent by weight and the concentration of the corrosion inhibitor in the solution is less than approximately one percent by weight. The solution may also include a solvent and a cosolvent. In an alternate embodiment, the solution includes a solvent and a cosolvent without the surfactant and corrosion inhibitor. In one embodiment, the CMP process and post CMP cleaning process can be performed in the presence of light having a wavelength of less than approximately one micron.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de tranches à semi-conducteurs. Une solution est appliquée sur une tranche à semi-conducteurs afin d'éviter les dendrites et les réactions électrolytiques au niveau de la surface d'interconnexions métalliques. La solution peut être appliquée au cours d'un processus CMP ou au cours d'un processus de nettoyage post CMP. La solution peut comprendre un agent de surface et un inhibiteur de corrosion. Dans un mode de réalisation, la concentration de l'agent de surface dans la solution est inférieure à approximativement un pour cent en poids, et la concentration de l'inhibiteur de corrosion dans la solution est inférieure à approximativement un pour cent en poids. La solution peut également contenir un solvant et un co-solvant. Dans un autre mode de réalisation, la solution comprend un solvant et un co-solvant sans agent de surface ni inhibiteur de corrosion. Dans un mode de réalisation, le processus CMP et le processus de nettoyage post CMP peuvent être exécutés en présence d'une lumière d'une longueur d'onde inférieure à approximativement un micron.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)