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1. (WO2004102602) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'EMISSION D'ELECTRONS DANS LE VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102602    N° de la demande internationale :    PCT/EP2004/050811
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 14.05.2004
CIB :
H01J 1/308 (2006.01), H01L 29/73 (2006.01)
Déposants : THALES [FR/FR]; 45, rue de Villiers, F-92200 NEUILLY-SUR-SEINE (FR) (Tous Sauf US).
JACQUET, Jean-Claude [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DELAGE, Sylvain [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
FLORIOT, Didier [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : JACQUET, Jean-Claude; (FR).
DELAGE, Sylvain; (FR).
FLORIOT, Didier; (FR)
Mandataire : ESSELIN, Sophie; MARKS & CLERK FRANCE, 31-33, avenue Aristide Briand, F-94117 ARCUEIL Cedex (FR)
Données relatives à la priorité :
03 05907 16.05.2003 FR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR ELECTRON EMISSION IN VACUO
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR D'EMISSION D'ELECTRONS DANS LE VIDE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a semiconductor device for electron emission in vacuo, comprising a stack of a first semiconductor layer of type n (9), a second semiconductor layer of type p (7), which forms a first semiconductor junction (J1) with the first layer and a third semiconductor layer of type n (8), which forms a second semiconductor junction (J12) with the second layer and a surface region (10) of which faces the vacuum. The first junction (J1) is directly polarised to form an electron injector. The second junction (J2) has inverse polarisation to form an electron emitter in vacuo. The semiconductor material of the second layer to the input layer inclusive has a forbidden bandwidth Eg meeting the following inequality: Eg>$g(x)/2 where $g(x) is the electronic affinity of the material. A fourth semiconductor layer (11) which is non-intentionally doped (nid) is preferably sandwiched between the second and the third layers and a fifth semiconductor layer (9) is sandwiched between the layer (6) and the layer (7), with a doping weaker than the layers (6, 7 and 8). The above is of application to electronic and optoelectronic devices using an electron source.
(FR)Un dispositif semi-conducteur d'émission d'électrons dans le vide comprend empilées, une première couche semi-conductrice de type n (9), une deuxième couche semi-conductrice de type p (7) qui forme une première jonction semi-conductrice (J1) avec la première couche, et une troisième couche semi-conductrice de type n (8), qui forme une deuxième jonction semi-conductrice (J12) avec la deuxième couche, et dont une zone (10) en surface est en contact avec le vide. La première jonction (J1) est polarisée en direct pour former un injecteur d'électrons La deuxième jonction (J2) est polarisée en inverse pour former un émetteur d'électrons dans le vide. Le matériau semi-conducteur de la deuxième couche à la couche de sortie incluses, au moins, a une largeur de bande interdite Eg satisfaisant 1’inégalité suivante: est l'affinité électronique du matériau. De préférence, une quatrième couche semi-conductrice (11) non intentionnellement dopée (nid) est disposée en sandwich entre la deuxième couche et la troisième couche ainsi qu'une cinquième couche semi-conductrice (9) disposée en sandwich entre la couche (6) et la couche (7) et dont le dopage est plus fable que les couches 6, 7 et 8. Application aux dispositifs électroniques et optoélectroniques utilisant une source d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)