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1. (WO2004102580) MEMOIRE A SEUIL DE LECTURE ET DE VERIFICATION HOMOGENE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102580    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/014248
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 07.05.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.12.2004    
CIB :
G11C 16/04 (2006.01), G11C 16/08 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
ROOHPARVAR, Frankie [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ROOHPARVAR, Frankie; (US)
Mandataire : BOLVIN, Kenneth, W.; Leffert Jay & Polglaze, P.A., P.O. Box 581009, Minneapolis, MN 55458-1009 (US)
Données relatives à la priorité :
10/431,862 08.05.2003 US
Titre (EN) MEMORY WITH UNIFORM READ AND VERIFICATION THRESHOLD
(FR) MEMOIRE A SEUIL DE LECTURE ET DE VERIFICATION HOMOGENE
Abrégé : front page image
(EN)A plurality of cells in a flash memory device are coupled together in a series configuration, as in a NAND flash memory. A position of a first accessed cell is determined with reference to a ground potential in the flash memory device. A first word line signal is coupled to the first accessed cell. The first word line signal voltage level is adjusted in response to the position of the first accessed cell in its series of cells.
(FR)Plusieurs cellules d'un dispositif de mémoire flash sont couplées les unes aux autres selon une configuration en série, comme dans une mémoire flash NONET. Un emplacement d'une première cellule accédée est déterminée par rapport à un potentiel à la terre dans le dispositif de mémoire flash. Un premier signal de canal mot est couplé à la première cellule accédée. Le niveau de tension du premier signal de canal mot est réglé en réponse à l'emplacement de la première cellule accédée dans sa série de cellules.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)