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1. (WO2004102521) MEMOIRE VIDEO A BASSE TENSION POUR MICROECRAN ACL A CONTRASTE ELEVE ET PROCEDE ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2004/102521    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/013760
Date de publication : 25.11.2004 Date de dépôt international : 04.05.2004
CIB :
G09G 3/36 (2006.01)
Déposants : BRILLIAN CORPORATION [US/US]; 1600 N. Desert Drive, Tempe, AZ 85281-1230 (US) (Tous Sauf US).
SMITH, Joseph, T. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SMITH, Joseph, T.; (US)
Mandataire : KATZ, Paul, N.; Baker Botts L.L.P., One Shell Plaza, 910 Louisiana, Houston, TX 77002-4995 (US)
Données relatives à la priorité :
10/431,229 06.05.2003 US
Titre (EN) LOW VOLTAGE FRAME BUFFER FOR HIGH CONTRAST LCD MICRODISPLAY AND METHOD THEREFOR
(FR) MEMOIRE VIDEO A BASSE TENSION POUR MICROECRAN ACL A CONTRASTE ELEVE ET PROCEDE ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A frame buffer coupled to a LCD pixel comprises a first storage stage and a second storage stage. The frame buffer stores video information to the first storage stage while the second storage stage outputs previously stored video information to the LCD pixel. Video information stored in the first storage stage has a first voltage magnitude. A voltage boost circuit increases the stored video information in the first storage stage to a second voltage magnitude when the second storage stage is coupled for receiving video information from the first stage. The video information of the second voltage magnitude is converted and stored in the second storage stage having the first voltage magnitude.
(FR)Selon la présente invention, une mémoire vidéo couplée à un pixel ACL comprend un premier étage de stockage et un second étage de stockage. La mémoire vidéo permet de stocker des informations vidéo au niveau du premier étage de stockage, tandis que le second étage de stockage permet d'émettre des informations vidéo stockées antérieurement vers le pixel ACL. Des informations vidéo stockées dans le premier étage de stockage possèdent une première intensité de tension. Un circuit d'augmentation de la tension permet d'augmenter les informations vidéo stockées dans le premier étage de stockage à une seconde intensité de tension, lorsque le second étage de stockage est couplé pour recevoir des informations vidéo provenant du premier étage. Les informations vidéo de la seconde intensité de tension sont converties et stockées dans le second étage de stockage possédant la première intensité de tension.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)